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提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法,从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式,讨论探针游移对测试结果的影响.制定出可操作的测试方法,对实际样品进行测试验证,并绘制了等值线图. 关键词: 四探针技术 方形四探针 微区电阻 探针游移  相似文献   
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