ZnO/Eu~(3+)发光材料的高温固相合成及其发光性能

采用高温固相法制备了ZnO/Eu3+红色长余辉发光材料.应用正交试验设计法(每个因素取3个水平,选用L9(34)正交试验表),以初始亮度为指标,研究了煅烧温度、Eu3+质量分数、敏化剂Li+质量分数、煅烧时间等4个因素对发光性能的影响;利用X射线衍射仪对合成的ZnO/Eu3+发光材料进行了物相分析,应用荧光分光光度计测定了样品的激发光谱和发射光谱,应用照射计测定了样品的发光特性.结果表明,当各个因素在水平范围内变化时,所制备的样品均具有ZnO晶格结构;荧光粉的主激发峰位于365 nm和458 nm处,主发射峰位于480 nm、570 nm和600 nm~640 nm,对应于Eu3+的4f和5d间的激发和发射.所确定的最佳合成条件为:煅烧温度850℃,w(Eu3+)=4%,w(Li+)=2.5%,煅烧时间3 h.     

在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析

用有限元法计算了用Rymaszewski公式测量矩形样品薄层电阻时的理论误差与探针距及其游移度、探针离开边界距离的关系;找出了实际测量时理论误差小于3%可放置直线四探针的中央区宽度,并给予实验验证.同时对利用无限系列镜像理论证明得出小矩形样品的薄层电阻测量不受样品边界和探针游移的影响的新方案提出了异议. 关键词：     

用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻

借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来进行边缘效应修正。本文利用有限元法对此结论给予证明,并通过金微触点的方块电阻测定得到证实。 关键词：     

半导体四探针技术中二维电流场电势分布有限元分析

对四探针测试半导体薄层电阻中二维电流场的电势分布采用有限元法(FEM)数值计算,并提出了计算模型。对几种常用的测试结构进行计算其电势分布证明了有限元方法的正确性。与以前所采用的镜像源法和图形变换法相比,该方法具有对任意形状的样品和任意放置探针具有同样简单和计算通用的特点。     

用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方块电阻

提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法，从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式，讨论探针游移对测试结果的影响.制定出可操作的测试方法，对实际样品进行测试验证，并绘制了等值线图. 关键词： 四探针技术 方形四探针 微区电阻 探针游移