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本文研究热氮氧化硅(SiOxNy)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的
关键词: 相似文献
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本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H2O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T
关键词: 相似文献
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