表面弛豫效应对界面区域CBED的影响

对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决CBED法测量界面应变场时遇到的表面弛豫效应问题是有意义的。     

超快激光激发下银/氧化钛纳米颗粒膜的光氧化

通过射频磁控溅射方法制备了嵌入在无定型氧化钛基体中的Ag纳米颗粒膜, 研究了Ag纳米颗粒的大小、形状、吸收光谱及Ag的结合能在800 nm皮秒激光照射后的变化规律. 透射电子显微镜观察结果显示, 光照后Ag纳米颗粒尺寸减小, 形状变得更圆. 吸收光谱结果表明, 光照后样品在586-1200 nm 范围的吸收减小, 在350-586 nm范围的吸收增加. 光照后样品的光致发光强度大大增强, 这主要来自光氧化生成的Ag2O.     

Study on superstructure in ion co-doped BiFeO3 by using transmission electron microscopy

La3+and V5+co-doped Bi Fe O3 ceramics are synthesized by rapid liquid sintering technique. The modulated structure in Bi0.85La0.15Fe0.97V0.03O3 is investigated by using transmission electron microscopy(TEM). Two kinds of superstructures are observed in the samples. One is the component modulated superstructure and twin-domain, which is generated by La3+ordered substitution for Bi3+and frequently appears. The chemical composition of the superstructure is explored by x-ray energy dispersive spectroscopy(EDS). The model of the ordered structure is proposed. Simulation based on the model is conducted. The second is the fluorite-type δ-Bi2O3 related superstructure. The relation between the ferroelectric property and the microstructure of the sample is also discussed.     

用定量会聚束电子衍射技术对二十面体AlPdMn准晶结构的优化

对n0，n1，b1和d0等4个位置上的7个原子面，用位置对称性允许的面谐函数描述原子面边界的形状和大小，用定量会聚束电子衍射技术对描述这7个原子面的形状与大小的15个参数进行了精修，得到了一个新的描述二十面体AlPdMn准晶结构的高维空间模型．由这个模型，在三维物理空间用切割法得到了比不考虑棱边中点d0处原子面的球形模型和非球形模型更加完整的原子结构，原子间距不合理的情况得以消除．通过解析式表述的这一模型，与用菱形多面体和91个参数描述原子面的6维团簇模型相比适用性更强．     

二十面体AlPdMn准晶近似相的电子结构研究

基于二十面体AlPdMn准晶近似相的Quandt-Elser结构模型,使用VASP第一性原理计算程序包,计算了二十面体AlPdMn准晶近似相的电子态密度NE和电荷密度.计算结果表明,i-AlPdMn准晶近似相的DOS曲线上,在Fermi能EF附近形成了一个宽度约为1 eV的很深的赝能隙;Mn的d峰被宽化,并出现在能量较低的位置上;价电子被局域在Al—Mn,Al—Pd,Al—Al,Mn—Pd之间的中间区域,具有共价键的特征,且Al—Mn间的共价键最强.赝能隙的形成和化合键的共价键特征可以很好地解释i-AlPdMn准晶和准晶近似相的特殊物理性质.     

晶须增强金属复合材料电镜样品中的弹性弛豫

用有限元数值计算的方法研究了晶须增强金属复合材料电镜样品中，自由表面引起的弹性弛豫对材料中界面附近弹性应变的影响，利用电子衍射动力学理论模拟了这种弹性应变引起的会聚束电子衍射图中衍射线的宽化与分裂情况，计算结果与实验相符．并讨论了由薄膜样品中弹性应变的测定结果推算出大的块体复合材料中界面微观应变场的可能性     

多羟基化合物法制备五次孪晶银纳米线的生长机理

运用多羟基化合物方法, 在添加表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP) K30的溶液中合成了多次孪晶银纳米颗粒和纳米线. 运用透射电子显微术(TEM)和光吸收谱, 对不同的摩尔比n(PVP):n(AgNO3)和不同的搅拌条件下制备的纳米线进行了对比研究. 结果表明, 这种方法的制备过程中不仅存在由五个{111}面包裹成的锥形生长, 而且还同时存在垂直于生长方向的{110}层状生长, 并且两者之间还存在着竞争; 另外对纳米线的弯折处进行的高分辨电子显微学研究表明, 纳米线制备过程中遭受的塑性变形在纳米线中产生了大量的层错和位错; 纳米线折断产生的新鲜断口容易成为新的晶粒形核位置.