激光诱导直接化学光刻

本文利用Ar~+激光倍频257.3nm进行扫描蚀刻Si、GaAs和Zn片,获得的最小光刻线宽为1.2μm,给出蚀刻深度与光强/扫描速度的关系曲线等参量,首次利用光刻技术估计卤素自由基的扩散系数、自由路程以及激光聚焦光斑大小,以及观察到阈值现象。     

远红外激光磁共振

远红外激光磁共振(LMR)是在顺磁共振(EPR)基础上发展起来的.引起顺磁共振原因是,由于原子在磁场中能级发生分裂,当磁场强度合适时,不同磁量子数Mj之间的跃迁能量与微波光子能量相当时,发生微波的吸收.远红外激光磁共振与顺磁共振都是将样品放在腔中来提高灵敏度,在磁场坐标上出现锐的吸收峰.远红外激光磁共振与顺磁共振不同之处是用远红外激光代替微波,由于其光子能量增加了两个数量级,吸收发生在分子转动态之间的跃迁或原子精细结构之间的跃迁.通过调节磁场,使在一定磁场数值上能级的分裂正好与红外光子能量匹配,从而发生吸收.因此,远红…     

激光诱导固体表面化学过程的若干研究

本文采用氩激光倍频及准分子激光,对金属膜层的沉积、化合物膜层沉积、光诱导化学光刻以及激光化学诱导掺杂等固体表面化学过程作了实验研究,并对其中一些过程的机理作了探讨.     

激光化学沉积膜层的结构与形成

本文以四甲基锡与Pt(CFACAC)作为工作物质,通过激光光致热分解和光分解,在石英基片上和电子显微镜碳膜上沉积锡膜与铂膜,研究光分解和光致热分解产生的膜层的结构与形成,测定膜层的沉积速率。文中给出了膜层沉积速率的一种新测定方法,用该方法可测定工作物质的蒸汽压。由光分解引起的锡膜沉积速率与光强成线性关系,并一直保持到小银灯的微弱光强,说明了四甲基锡的分解是单光子过程。由于涉条纹的最小距离可知,光分解沉积的分辨本领可小于0.2微米。     

XeCl准分子激光引发香芹酮的化学反应

本文报道了用XeCl准分子激光引发香芹酮(1)化学反应的研究结果.根据反应产物香芹酮樟脑(2)和1-挂,5-二甲基-顺2-[(乙氧羰基)甲基]双环[2.1.1]己烷(3)与激光照射能量的关系,得出香芹酮的1→2→3的反应过程.实验表明,在低激光强度照射时,每照射1焦耳能量生成2和3的量随着激光强度的增加而增加,并显示出饱和趋势.同时在照射过程中观察到浓度效应和发光.     

苯乙醇液芯光纤受激喇曼散射的红移和蓝移展宽

本文首次用调QYAG激光器的倍频光(λ=532.1nm)在苯乙醇液芯光纤中产生受激喇曼散射,观察到了4阶斯托克斯线和2阶反斯托克斯线.讨论了引起红移为主的斯托克斯线展宽的原因.     

激光等离子体诱发SiCl4解离沉积硅膜的研究

硅是重要半导体材料之一,其薄膜广泛应用于集成电路和太阳能电池。但用普通方法制备纯硅需要很高温度,而利用激光便可在低温下进行。因此激光诱导化学气相沉积技术是改革集成电路工艺和制备太阳能电池的一种很有希望的方法。本文用SiCl_4代替通常使用的SiH_4,用TEA CO_2激光诱导SiCl_4解离气相沉积硅膜。     

氯在紫外波段一组新的激光跃迁

本文报道五条新的氯离子紫外激光谱线,波长分别为394.3,367.0,365.7,307.7和306.3毫微米。其中394.3毫微米为氯紫外激光最强的谱线之一。并发现263.3毫微米增益很高,每米增益大于30％,进而给出了这条谱线的跃迁能级。 关键词：     

氦镉激光器的轴向气压差效应

本文在实验上发现氦镉激光器工作时存在较高的轴向气压差,阳极气压比阴极高达1至2托,约为氦工作气压的一半,为纯氦放电时的三倍。研究了气压差与激光功率输出、噪声以及稳定性的关系。用扩散回路减小气压差后,4416(?)激光输出功率由80mW增大到110mW,噪声降低到0.9％,成为大功率低噪声氦镉激光器,功率稳定性也明显提高。这时,可求得从阴极到阳极的单向流动,即Langmuir流的流量率为15cm~3/sec。对实验结果作了讨论,并认为降低气压差可使阴极溅射减小,增长激光器的寿命.     

可见区八条新氯离子激光谱线的研究

本文报导八条可见区氯离子新激光谱线.波长分别为441.48,459.62,460.18,477.11,477.89,509.93,517.59,535.61nm.实验表明,在工作物质氯化氢中掺入适量氩对可见区氯离子激光谱线有普遍的增强作用,并出现较多的新氯离子激光谱线.本文还对有关实验现象作了定性解释.