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采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征。结果表明:随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降。在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 kPa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60%、23.07%、26.40%、27.66%,但是13.3 kPa下生长的样品在大电流下EQE随电流droop效应有所加剧,在20 A·cm-2的工作电流下,样品A、B、C、D的EQE分别为16.60%、19.77%、20.03%、19.45%,10 kPa下生长的量子阱的整体光电性能最好。 相似文献
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流动注射协同增强化学发光免疫分析法的建立与评价 总被引:2,自引:0,他引:2
以兔IgG为模型 ,NaTPB与PPP协同增强的Luminol H2 O2 HRP混合液为发光体系 ,HRP标记抗体 ,建立了灵敏度高、特异性强、重现性好的流动注射协同增强化学发光免疫分析法。结果表明 :在 2~ 6 0 μg L范围内兔IgG量与发光强度有良好的线性关系 ,相关系数r=0 .994 1 (P <0 .0 1 ) ;绝对检测限为 0 .6 5fmol;方法精密度为 4 .72 %~ 9.31 % ;回收率为 92 .5 0 %~ 99.4 0 %。免疫柱可反复使用 2 0 0次以上。本法测定不同浓度兔IgG标准溶液的结果与RIA法的测定结果基本一致 相似文献
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