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为探索不同的极化条件对分子取向的影响,用旋涂法制备了偶氮主客体掺杂薄膜,并用电晕极化的方法分别在不同温度和厚度条件下使分子取向,通过测量极化前后紫外-可见吸收谱,研究了平均取向因子的变化,并和二次谐波产生结果进行了比较。实验结果表明：对于厚度相同的偶氮薄膜,随着温度的升高,平均取向因子增大,但二次谐波信号强度先增大后减小;温度越接近聚合物玻璃转变温度,分子越容易取向,但温度过高,聚甲基丙烯酸甲酯变为粘滞态,部分偶氮分子容易在高温下蒸发掉,导致二次谐波信号强度降低,而平均取向因子增大;随着薄膜厚度的增大,针-板电极电场造成薄膜内部电场分布的不均匀性增加,极化效率降低,平均取向因子不断减小,二次谐波信号强度先增大后减小。 相似文献
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本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽运光强增加而增加,最后达到饱和,其饱和功率为54μJ/cm~2.当载流子浓度增大时,电子间的库仑相互作用将部分屏蔽缺陷对电子的俘获概率,从而导致LT-GaAs的快速载流子俘获时间随抽运光强增加而变长.光激发薄层电导率的色散关系可以用Cole-Cole Drude模型很好地拟合,结果表明LT-GaAs内部载流子的散射时间随抽运光强增加和延迟时间(产生光和抽运光)变长而增加,主要来源于电子-电子散射以及电子-杂质缺陷散射共同贡献,其中电子-杂质缺陷散射的强度与光激发薄层载流子浓度密切相关,并可由散射时间分布函数α来描述.通过对光激发载流子动力学、光激发薄层电导率以及迁移率变化的研究,我们提出适当增加缺陷浓度,可以进一步降低载流子迁移率和寿命,为研制和设计优良的THz发射器提供了实验依据. 相似文献
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