低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应的温度相关性

为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系, 在德国鲁尔大学实验室的100kV加速器上系统测量了T=200\textcelsius时元素周期表中第三、四族以及镧系元素氘化靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应. 由于氘在介质中的溶度(介质对氘的吸附能力)随温度升高而迅速下降, 该温度下金属表面不能形成氘化物, 导致金属性增强, 因而观测到了比常温下更显著的电子屏蔽效应. 这一测量结果可以用德拜模型来解释. 为了进一步验证德拜模型, 还测量了不同温度下氘化Co和Pt靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应, 得到了电子屏蔽效应和温度 相关性的曲线. 实验结果与德拜模型的预言相符.