| 低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应的温度相关性 |
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| 引用本文： | 曾晟,F.Raiola,B.Burchard,C.Rolfs,连刚.低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应的温度相关性[J].中国物理 C,2005,29(12):1131-1135. |
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| 作者姓名： | 曾晟 F.Raiola B.Burchard C.Rolfs 连刚 |
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| 作者单位： | [1]中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413 [2]Ruhr-Universita^-t 波鸿 D-44780 德国,北京102413 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目（G200077400,2003CB716704）,国家杰出青年科学基金（10025524）;国防科技基础研究项目（GFJ00F00101）资助 |
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| 摘 要： | 为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系, 在德国鲁尔大学实验室的100kV加速器上系统测量了T=200\textcelsius时元素周期表中第三、四族以及镧系元素氘化靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应. 由于氘在介质中的溶度(介质对氘的吸附能力)随温度升高而迅速下降, 该温度下金属表面不能形成氘化物, 导致金属性增强, 因而观测到了比常温下更显著的电子屏蔽效应. 这一测量结果可以用德拜模型来解释. 为了进一步验证德拜模型, 还测量了不同温度下氘化Co和Pt靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应, 得到了电子屏蔽效应和温度
相关性的曲线. 实验结果与德拜模型的预言相符.
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| 关 键 词： | 电子屏蔽效应 温度相关性 德拜模型 |
| 收稿时间： | 2005-03-28 |
| 修稿时间： | 2005-03-282005-07-08 |
Temperature Dependence of Electron Screening at Low Energy |
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| ZENG Sheng,F. Raiola,B. Burchard,C. Rolls,LIAN Gang.Temperature Dependence of Electron Screening at Low Energy[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2005,29(12):1131-1135. |
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| Authors: | ZENG Sheng F Raiola B Burchard C Rolls LIAN Gang |
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| Institution: | 1.China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China;2.Ruhr-Universitat, Bochum D-44780, Germany |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron screening temperature effects Debye model |
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