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用低温溶剂热法合成了2种分立结构的有机杂化硫代碲(Ⅳ)酸盐化合物(H2en)TeS3(1)和[Ni(en)3]TeS3(2)(en=乙二胺),通过X-射线单晶衍射,红外光谱,元素分析等手段对它们的结构进行了表征。晶体结构解析结果表明:2个化合物均属单斜晶系,空间群分别为P21和P21/c。化合物1和2具有孤立三角锥[TeS3]2-阴离子,化合物1的平衡阳离子为双质子化乙二胺[H2en]2+,阴离子基团[TeS3]2-和阳离子基团[H2en]2+之间通过N-H…S氢键连接。化合物2的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺的配合物[Ni(en)3]2+。另外,对该2种晶体进行了紫外-可见漫反射光谱测试和热重分析。 相似文献
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等离子体原子荧光光谱仪激发光源空心阴极灯脉冲发生和信号 … 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用带386处理器的微型计算机,通过自行研制的接口,在BaidPlasmaAFS-2000原子荧光光谱仪上实现了荧光激发光源空心阴极灯供电脉冲发生和信号处理的控制。 相似文献
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利用溶剂热法合成了硫代锡酸铯Cs4Sn5S12,单晶X-射线衍射结果表明Cs4Sn5S12属正交晶系,Pbca空间群,a=1.4232(4)nm,b=1.3161(4)nm,c=1.6372(5)nm,α=90°,Z=4。化合物Cs4Sn5S12中含有由八面体Sn S6和三角双锥Sn S5连接形成的层状阴离子[Sn5S12]4-∞。[Sn5S12]4-∞结构中有两种类型硫原子:连接六配位锡原子和五配位锡原子的硫原子以及只与两个五配位锡原子相连的硫原子。紫外-可见漫反射光谱表明Cs4Sn5S12为半导体,禁带宽度为2.3 e V。 相似文献
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用低温溶剂热法合成了2种分立结构的有机杂化硫代碲(Ⅳ)酸盐化合物(H2en)TeS3(1)和[Ni(en)3]TeS3(2)(en=乙二胺),通过X-射线单晶衍射,红外光谱,元素分析等手段对它们的结构进行了表征。晶体结构解析结果表明:2个化合物均属单斜晶系,空间群分别为P21和P21/c。化合物1和2具有孤立三角锥[TeS3]2-阴离子,化合物1的平衡阳离子为双质子化乙二胺[H2en]2+,阴离子基团[TeS3]2-和阳离子基团[H2en]2+之间通过N-H…S氢键连接。化合物2的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺的配合物[Ni(en)3]2+。另外,对该2种晶体进行了紫外-可见漫反射光谱测试和热重分析。 相似文献
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在乙二胺溶剂体系中,180 ℃条件下合成了两种化合物[Mn (en)3]2[Sn2Se4S2](1)和[Co(en)3]2[Sn2Se4S2](2).通过X-射线单晶衍射、SEM、IR、TGA和UV-Vis等手段对其进行了表征.X-射线单晶衍射结果表明化合物1和2是类质同晶,均为正交晶系,并属于Pbca空间群,结构中均含有Sn和两种硫属元素S、Se组成的二聚体阴离子[Sn2Se4S2]2-.两种晶体的晶胞参数分别为:化合物1,a=1.6020(8) nm,b=1.1842(6) nm,c=1.9658(10) nm,Z=8;化合物2,a=1.549t(5) nm,b=1.1688(4) nm,c=1.18666(6) nm,Z=8.紫外-可见漫反射光谱研究结果表明,化合物1和2的禁带宽度分别为1.54 eV和1.64 eV,均有半导体性能. 相似文献
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等离子体原子荧光光谱仪激发光源空心阴极灯脉冲发生和信号处理控制系统的研制和评估 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用带386处理器的微型计算机,通过自行研制的接口,在BairdPlasmaAFS-2000原子荧光光谱仪上实现了荧光激发光源空心阴极灯供电脉冲发生和信号处理的控制。典型元素的检测限、相对标准偏差和线性相关系数表明,系统性能良好。新系统增强了仪器的功能。 相似文献
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