钙钛矿型Sr_（1－x）Bi_xFeO_（3－y）系列物的结构、电性及铁氧化态研究

在１１００℃制备了钙钛矿型非计量系列物Ｓｒ_（１－ｘ）Ｂｉ_ｘＦｅＯ_（３－ｙ），与文献相比，明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Ｆｅ离子的平均价态，用ＸＲＤ、交流阻抗、ＩＲ、Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等方法研究了其结构与性质，该类化合物具有Ｐｍ３ｍ对称性和半导体性质，铁离子会产生电荷歧化现象。     

MgB2交流响应teff的电流效应

本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.     

金属锡促进的a-澳代醋与二硒醚反应合成a一硒代醋

本文报道在四氢吠喃中通过金属锡促进Q_澳代酷与二硒醚反应生成a一硒代酷，反应条件温和，产率良好.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率

本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式．     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

含椭球包体多相复合介质电导率的有效介质理论

本文应用有效介质理论(EMT),研究含椭球包体的多相复合介质中的导电性。建议用各向异性因子m估计非均匀系统的局域各向异性,并给出一个计算此情况下有效电导率张量的公式。对于椭球包体取向完全无序的介质,建议以介质的几何结构因子I_i(i=χ,y,z)估计组成包体的颗粒之间的近场效应。研究表明,结构因子I_i与包体的退极化因子n_i(i=χ,y,z)之间存在简单的关系。EMT的计算结果表明,抻长的椭球包体(b/α≈0.2)和压扁的椭球包体((b/α≈7—8)是导致渗流阈值对c₁^*=0.17的两种主要几何结构。初步的理论分析表明,由这两种几何形状产生渗流的共同机制是在介质中形成“无穷”长的链状集团。     

化学哲学试探

本文通过在对化学与哲学关系的分析，以二者的联结处为切入点，结合实例，提出了”化学哲学”这一科学的认识论和方法论，使化学的学习、研究、教育教学工作进一步走向理性化，从而能动地认识自然，改造自然，利用自然，不断促进化学科学的深入发展。     

高导电性ML(TCNQ)_n(n=2,3)盐的磁性研究

测定了高导电性ML(TCNQ)n盐的ESR谱和变温磁化率数据,结果表明,在某些ML(TCNQ)_3中存在电子由[ML]~(2+)至(TCNQ)_8~(2-)的转移,使之成为n-型半导体。     

混合模式硅胶基质毛细管电色谱整体柱的制备及其电色谱性能研究

采用温和条件下的溶胶-凝胶技术,成功制备了阴离子交换-反相混合模式硅胶基质毛细管电色谱整体柱.通过调整反应液中不同前体的比例,优化了整体柱的制备条件.通过扫瞄电镜,对柱床进行了表征和分析.实验发现,所制备的整体柱电渗流的方向和大小可随流动相pH值的改变而改变,在酸性和中性条件下,具有从阴极流向阳极的电渗流;当流动相pH值升至约7.5时,电渗流方向发生了反转(由阳极流向阴极).在优化的实验条件下,用所制备的整体柱对所考察的酸性(中性)化合物实现了快速分离,并获得了高达160,000 N/m的柱效.