SiC缓冲层对Si表面生长的 ZnO薄膜结构和光电性能的改善

用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si 之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。     

具有扩展π共轭桥的D-π-A结构的染料LB膜的光电转换性质研究

合成了具有扩展π共轭桥的两亲性D－π－A染料,N－十八烷基－2－[(4-N,N‘-二甲基胺苯基）－1,3－丁二烯基]吡啶盐碘化物（BEP2）,通过Brewster角显微镜观察了BEP2在空气／水界面上的成膜行为,运用Langmuir-Blodgett技术将它转移到ITO（indium-tin-oxide)导电玻璃上,在传统的三电极体系中测定其光电转换性质,研究了氧化还原物质、偏压和光强等因素对它的影响,发现其比母体染料N－十八烷基－2－[(4-N,N‘-二甲基胺苯基）乙烯基]吡啶盐碘化物（EP2）具有更高的光电转移效率。     

“推拉”型Schiff碱染料LB膜二阶非线性光学性质的研究

具有非线性光学性质（NLO）的“推拉”型结构分子由于在光学通讯、电光器件和激光扫描等光电子领域中具有潜在的应用价值,近十几年已被广泛研究。这类分子的典型结构为D－π-A（D为电子给体,A为电子受体,π为共轭体系）,容易发生分子内的电荷转移而具有大的分子超极化率,有机分子的结构与二阶非线性光学性质（SHG）的相关性在理论和实验方面已有研究,但不同取代位置的电子受体对SHG垢影响的报道则较少。