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运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制, 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
关键词:
THz辐射
反应离子刻蚀
ZnTe 相似文献
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借助抽运-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹(THz)辐射,利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布,观察到了较窄(约为0.2 ps)的THz场分布及相应较宽(响应超过4 THz,半峰宽约为2.4 THz)的THz频谱,并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合. 研究了飞秒激光脉冲波长(750—850 nm)、脉冲宽度(56—225 fs)和晶体旋转与THz辐射产生的关系. 同时改变探测光偏振方向进行偏振调制,并从理论上分析了偏振调制对THz辐射探测的影响.
关键词:
THz辐射
光学整流
电光探测
ZnTe 相似文献
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