首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   1篇
力学   1篇
物理学   2篇
  2016年   1篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
采用平均场Mori-Tanaka模型,计算了三相复合材料的有效磁电弹性模量,研究了复合材料磁电系数与微观结构之间关系;结果表明掺杂相的体积分数与颗粒形状系数对复合材料的有效磁电系数有很大的影响,这些结果可为复合材料的实验设计提供理论参考和指导.  相似文献   
2.
具有条纹磁畴结构的磁性薄膜表现出面内转动磁各向异性,对于解决高频电子器件的方向性问题起着至关重要的作用.本文采用射频磁控溅射的方法,研究了NiFe薄膜的厚度、溅射功率密度、溅射气压等制备工艺参数对条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律.研究发现,在功率密度15.6 W/cm~2与溅射气压2 mTorr(1 Torr=1.33322×102Pa)下生长的NiFe薄膜,表现出条纹磁畴的临界厚度在250 nm到300 nm之间.厚度为300 nm的薄膜比250 nm薄膜的垂直磁各向异性场增大近一倍,从而磁矩偏离膜面形成条纹磁畴结构,并表现出面内转动磁各向异性.高溅射功率密度可以降低薄膜出现条纹磁畴的临界厚度.在相同功率密度15.6 W/cm~2下生长300 nm的NiFe薄膜,随着溅射气压由2 mTorr增大到9 mTorr,NiFe薄膜的垂直磁各向异性场逐渐由1247.8 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)增大到3248.0 Oe,面内转动磁各向异性场由72.5 Oe增大到141.9 Oe,条纹磁畴周期从0.53μm单调减小到0.24μm.NiFe薄膜的断面结构表明柱状晶的形成是表现出条纹磁畴结构的本质原因,高功率密度下低溅射气压有利于柱状晶结构的形成,表现出规整的条纹磁畴结构,高溅射气压会导致柱状晶纤细化,面内转动磁各向异性与面外垂直磁各向异性增强,条纹磁畴结构变得混乱.  相似文献   
3.
Multiferroic materials with two or more types of ferroic orders have attracted a great deal of attention in the last decade for their magnetoelectric coupling, and new ideas and concepts have been explored recently to develop multiferroic materials at nano-scale. Motivated by theoretical analysis, we synthesized single-phase BiFeO3 (BFO) nanofibers, Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-CoFe2O4 (PZT-CFO) and Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-NiFe2O4 (PZT-NFO) composite nanofibers, and CoFe2O4-Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (CFO-PZT) core-shell nanofibers using sol-gel based electrospinning. These nanofibers typically have diameters in the range of a few hundred nanometers and grain size in the range of 10s nanometers, and exhibits both ferroelectric and ferromagnetic properties. Piezoresponse force microscopy (PFM) based techniques have also been developed to examine the magnetoelectric coupling of the nanofibers, which is estimated to be two orders of magnitude higher than that of thin films, consistent with our theoretical analysis. These nanofibers are promising for a variety of multiferroic applications.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号