柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性

研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm~2/(V·s)降到45.17 cm~2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。     

天然有机化合物的质谱研究 VI: 20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的质谱

用EIMS、高分辨及B/E联动扫描技术, 对二十一个20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的结构特征进行了研究, 根据它们的结构和质谱行为, 分为三种类型的化合物,B环的7C上有取代基, B环的6C上有取代基, B环的6C和7C同时有取代基, 并讨论裂解过程与A、B、C环上的取代基的影响。     

天然有机化合物的质谱研究 VI: 20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的质谱

用EIMS、高分辨及B/E联动扫描技术, 对二十一个20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的结构特征进行了研究, 根据它们的结构和质谱行为, 分为三种类型的化合物,B环的7C上有取代基, B环的6C上有取代基, B环的6C和7C同时有取代基, 并讨论裂解过程与A、B、C环上的取代基的影响。     

溶胶凝胶法制备以Al_2O_3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管

利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al_2O_3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大。研究证明,溶液法制备Al_2O_3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。     

天然有机化合物的质谱研究 Ⅵ.20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的质谱

用EIMS、高分辨及B/E联动扫描技术,对二十一个20-C-未被氧化的-对映-贝壳杉烯化合物的结构特征进行了研究,并讨论裂解过程与A、B、C环上的取代基的影响。