顶空气相色谱法快速测定污水中氨氮含量

研究了一种基于化学反应型顶空气相色谱的快速检测污水氨氮含量新方法。首先在顶空瓶中用过量的甲醛与NH₄⁺反应产生等物质的量的强酸，再用NaHCO₃与新生成的酸反应产生CO₂，最后经过气相色谱定量CO₂，间接得出样品中氨氮的含量。结果表明，氨氮含量与气相色谱信号值之间存在良好的线性相关性，相关系数为0.999，定量限为0.786 mg/L（以N的质量浓度计），相对标准偏差小于2%，加标回收率在95%~105%之间。与国标纳氏试剂法相比，该方法测定结果的相对偏差在±5%以内。该方法检测效率高，适用于快速批量检测污水中氨氮的含量。     

Ti/HfO2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布

为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律, 使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO₂/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布, 得到了阻变层的微结构信息. 通过I-V测试, 得到该器件单元具有典型的阻变特性; 通过针对Hf 4f的不同深度测试, 发现处于低阻态时, 随着深度的增加, Hf⁴⁺化学组分单调地减小; 而处于高阻态和未施加电压前, 该组分呈现波动分布; 通过Hf⁴⁺在高阻态和低阻态下组分含量以及电子能损失谱分析, 得到高阻态下Hf⁴⁺组分的平均含量要高于低阻态; 另外, 高阻态和低阻态下的O 1s谱随深度的演变也验证了Hf⁴⁺的变化规律. 根据实验结果, 提出了局域分布的氧空位聚簇可能是造成这一现象的原因. 空位簇间的链接和断裂决定了导电细丝的形成和消失. 由于导电细丝容易在氧空位缺陷聚簇的地方首先形成, 这一研究为导电细丝的发生位置提供了参考.     

HfO_2-based ferroelectric modulator of terahertz waves with graphene metamaterial

Tunable modulations of terahertz waves in a graphene/ferroelectric-layer/silicon hybrid structure are demonstrated at low bias voltages. The modulation is due to the creation/elimination of an extra barrier in Si layer in response to the polarization in the ferroelectric Si:HfO_2 layer. Considering the good compatibility of HfO_2 with the Si-based semiconductor process, the highly tunable characteristics of the graphene metamaterial device under ferroelectric effect open up new avenues for graphene-based high performance integrated active photonic devices compatible with the silicon technology.     

动态紫外光谱法检测湿巾无纺布对苄索氯铵杀菌剂的吸附

生产中苄索氯铵在湿巾中的添加是通过药液浸渍的方式,即无纺布对药液中苄索氯铵分子的吸附而实现的。由于苄索氯铵的吸附是一个时间很短的动力学过程,目前关于无纺布对苄索氯铵吸附速率的研究还未见报道。以湿巾无纺布对溶液中苄索氯铵的吸附为研究对象,根据苄索氯铵在波长269 nm处存在特征吸收峰,通过搭建在线动力学紫外监测平台,利用蠕动泵将溶液输送到紫外分光光度计的流动比色皿进行循环检测,可实现对吸附过程中苄索氯铵溶液吸光度值的在线实时检测;根据苄索氯铵吸光度值与浓度的关系,推导计算得出苄索氯铵吸附量,从而实现了无纺布对苄索氯铵吸附速率的快速准确检测。该方法适用于在线监测无纺布对苄索氯铵吸附时药液浓度变化。结合Weber and Morris内扩散动力学模型,对苄索氯铵的吸附过程进行理论分析,为深入研究无纺布对苄索氯铵的吸附做指导。结果表明：无纺布对苄索氯铵的吸附是一个连续性的分散过程;第一阶段的苄索氯铵线性吸附与表层扩散有关,第二阶段为苄索氯铵扩散过程,第三阶段是苄索氯铵吸附与脱附的平衡动态过程,且第一阶段扩散率常数（41.60）远大于第二阶段的扩散率常数（15.63）,说明表层扩散在整个吸附过程中起了很重要的作用。研究工作对于湿巾生产过程中及时合理的添加苄索氯铵及优化湿巾生产工艺具有现实的指导意义。     

Oxygen Recovery in Hf Oxide Films Fabricated by Sputtering

The chemical structure of ultrathin Hf oxide films （〈 10 nm） fabricated by a standard sputtering method is investigated using x-ray spectroscopy and Rutherford backseattering spectroscopy. According to the experiments, oxygen species are impacted to the HfO2/Si interface during the initial sputtering, and then released back to the upper HfO2 region driven by the oxygen concentration grads. A vacuum annealing can greatly enhance this recovery process. Additionally, significant SiO2 reduction in the interface is observed after the vacuum annealing for the thick HfO2 films in our experiment. It might be an effective method to confine the interracial layer thickness by sputtering thick HfO2 in no-oxygen ambient.     

稀土掺杂多孔硅的蓝光发射

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