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利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,低温制备的SiC薄膜为非晶相,而在高温下(>800℃),薄膜呈现4HSiC和3CSiC结晶相.IR谱显示,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收.此外,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究,并研究了样品的场发射特性.
关键词:
射频溅射
SiC薄膜
结构
表面形貌
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