非对称型IGBT的低温特性研究

研究表明，半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善．功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示．本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性，实验表明，低温下NPT型IGBT的通态压降。开关损耗都有明显下降，关断拖尾现象也得到明显改善。而门槛电压略有上升．在此基础上。分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用．     

非对称型IGBT的低温特性研究

研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.