| 非对称型IGBT的低温特性研究 |
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| 引用本文： | 张玉林,胡高宏,丘明,杨广辉,姚志豪.非对称型IGBT的低温特性研究[J].低温物理学报,2005,27(Z1):1012-1016. |
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| 作者姓名： | 张玉林 胡高宏 丘明 杨广辉 姚志豪 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电工研究所,北京,100080
2. 中国科学院研究生院,北京,100039 |
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| 摘 要： | 研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.
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| 关 键 词： | 低温 |
| 修稿时间： | 2005年4月10日 |
CRYOGENIC OPERATION OF NON-PUNCH-THROUGH IGBTs |
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| ZHANG YU-LIN,HU GAO-HONG,QIU MING,YANG GUANG-HUI,YAO ZHI-HAO.CRYOGENIC OPERATION OF NON-PUNCH-THROUGH IGBTs[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(Z1):1012-1016. |
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| Authors: | ZHANG YU-LIN HU GAO-HONG QIU MING YANG GUANG-HUI YAO ZHI-HAO |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IGBT NPT |
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