基于古斯-汉欣位移效应的波长传感研究

利用双面金属包覆波导在导模共振激发时对古斯-汉欣位移具有极大的增强效应来实现激光波长微小变化的监测.双面金属包覆波导由上层金膜、导波层和下层金膜组成.当导波层厚度为亚毫米尺度时,应用自由空间耦合技术使入射的激光以小角度入射,在满足相位匹配的条件下激发超高阶导模.理论研究表明,当波导的辐射损耗等于本征损耗时,反射光的侧向位移可达到数百微米,并且此时激发的超高阶导模对波长具有极强的色散能力.通过测量反射光的侧向位移可实现对激光波长变化的实时探测,且具有很高的灵敏度.同时,实验中探测信号只与光束位置相关,可有效避免因光源输出光强的波动带来的干扰.实验测量结果表明对激光波长在859nm附近的分辨率可达到0.2 pm.     

不分明S－闭空间

文［１］给出了不分明Ｓ－闭空间定义，本文仿照良紧性定义给出了另外一种不分明Ｓ－闭空间定义，证明了在Ｕｒｙｓｏｈｎ空间中两种定义的等价性，而且本文还得到关于Ｓ－闭空间的几个等价条件。     

模糊半开集和半分离性公理

本文改进了文[3]的模糊半开集定义，在本文定义的模糊半开集定义，不仅可以完全保留文[3]的结论，而且还能建立分明拓扑空间及其诱导拓扑空间关于半开集、半闭集等对应关系。此外，本文借助重域概念重新定义了半－R0，半－R1和半－T2空间，与[4]相比，本文定义的半分离性公理体系可以更自然地推广分明拓扑空间中的有关定理。     

三元合金高压相图的研究

本文从理论计算和实验测定两方面,对三元合金体系高压相图进行了研究。认为在有限压力范围内应用理论和实验相结合的方法,是得到完整准确的多元合金高压相图的简捷途径。     

Electronic states and spin-filter effect in three-dimensional topological insulator Bi_2Se_3 nanoribbons

We study the electronic band structure, density distribution, and transport of a Bi_2Se_3 nanoribbon. We find that the density distribution of the surface states is dependent on not only the shape and size of the transverse cross section of the nanoribbon, but also the energy of the electron. We demonstrate that a transverse electric field can eliminate the coupling between surface states on the walls of the nanoribbon, remove the gap of the surface states, and restore the quantum spin Hall effects. In addition, we study the spin-dependent transport property of the surface states transmitting from top and bottom surfaces(x-y plane) to the side surfaces(z-x plane) of a Bi_2Se_3 nanoribbon. We find that transverse electric fields can open two surface channels for spin-up and-down Dirac electrons, and then switch off one channel for the spin-up Dirac electron. Our results may provide a simple way for the design of a spin filter based on topological insulator nanostructures.     

应用相图边界理论勾画多元恒温截面相图

根据相图的边界理论,可以确定恒温截面图中紧邻相区及其边界关系,进而可以根据有限的实验数据,比较直接地勾画出整个恒温截面图。本文以5元相图和8元相图为例加以说明。     

关于晶体学教学内容中的几个问题

本文对晶体学中关于晶体结构周期性、对称要素组合(对称操作复合)、几何单形与结晶单形的基本概念、理论及教学思路进行了深入思考,阐明了过去我们并没有足够重视的一些理论问题,这有助于晶体学本身学科的发展,也有助于晶体学教学思路的明确.     

碳纳米管/二氧化硅的表面分子印迹聚合物制备及其在芦丁电化学检测方面的应用

采用溶胶凝胶法合成二氧化硅覆盖的碳纳米管(CNTs/Si O2),通过化学键合法将CNTs/Si O2接上3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MAPS),从而获得富含烯键的MAPS-CNTs/Si O2。以MAPS-CNTs/Si O2为分子印迹载体,芦丁为模板分子,丙烯酰胺为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,自由基聚合法制备碳纳米管/二氧化硅的表面分子印迹聚合物(CNTs/Si O2-MIPs)。采用红外光谱、热重分析和扫描电镜等方法对CNTs/Si O2-MIPs进行表征,将CNTs/Si O2-MIPs滴涂至玻碳电极表面构建电化学传感器,采用循环伏安法和差分脉冲伏安法对CNTs/Si O2-MIPs修饰电极的电化学行为进行考察。结果表明,CNTs/Si O2-MIPs对芦丁具有良好的特异性吸附性能,印迹材料的DPV电流响应是非印迹材料的2.84倍;相对于其它类似的分子,如槲皮素、柚皮素、抗坏血酸,CNTs/Si O2-MIPs传感器对芦丁具有较好的选择性;CNTs/Si O2-MIPs传感器的电流响应与芦丁的浓度在0.1~100.0μmol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为0.032μmol/L。该传感器已成功应用于药片中芦丁含量的测定。