二维Ag2S的电子和光电性能的第一性原理研究

二维Ag₂S是一种具有间接宽带隙的半导体材料，由其在平面内和平面外具有独特的力学性质，因此受到了人们的广泛关注.本文基于密度泛函理论进行了第一性原理计算，研究了二维Ag₂S的电子、光学性质的变化.二维Ag₂S具有较强的方向各异性，通过不同浓度的O取代S替换掺杂，发现随着O浓度的增加，带隙值出现先增大后减小的现象;由于O元素的引入，使二维Ag₂S结构对称性降低，引起能带及光吸收、光反射的分布离散化.y方向4.56～5.36 e V处光吸收及光反射峰随掺杂浓度增加逐渐减小，且出现明显的蓝移.     

Mon(n=2-13)和MonC(n=1-12)团簇的几何结构和电子结构

结合遗传算法和CALYPSO软件，采用密度泛函理论，对Mo_n(n=2-13)及Mo_nC(n=1-12)团簇基态的几何结构与电子结构展开详细研究.通过计算其基态结构的平均键长、平均结合能、二阶差分能、分裂能和前线轨道能级，对基态结构的稳定性随总原子数变化的关系展开了研究.计算结果表明，Mo_n团簇基态结构的稳定性可通过掺杂单个C原子而提高.综合团簇的二阶差分能、分裂能可知，n=6,9时Mo_n团簇的稳定性较高，n=4,7,10时Mo_nC团簇的稳定性较高.