图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的. 关键词： V型槽图形衬底 量子线 GaAs     

D_α-闭集在强模糊紧性方面的应用

在L-拓扑空间中,利用Dα-闭集给出了强模糊紧性的一些新的特征.     

高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器

研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 采用分子束外延设备生长In_0.25Ga_0.75As/GaAs量子阱作为器件的有源区, 无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐. 统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系, 且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析. 关键词： GaAs 共振腔增强型探测器 高稳定 线性调谐     

基于正三角形平面模板的摄像机标定与重建

提出一种采用正三角形平面模板标定摄像机内参数并进行重建的方法。模板包含一个正三角形和其重心至3个顶点的连线。用摄像机拍摄3幅以上不同位姿的模板图像,并提取每幅图像上角点的亚像素级坐标,然后计算消失点并拟合消失线,再由两组正交直线的消失点求得圆环点的图像坐标,最后线性求解出摄像机内参数。给出了两种弱化条件的模板,并介绍了恢复欧氏尺寸和摄像机部分外参数的方法。该方法降低了对标定模板的要求,模拟实验和真实实验的结果证明了其具有较高的标定精度。     

L-层次拓扑空间

在L-拓扑空间中,利用Dα-闭集推广了远域的概念,定义了L-子集的层次收敛,建立了网的层次收敛理论.     

四元数矩阵方程(AXB,CXD)=(E,F)的最小范数最小二乘Hermitian解

提出了研究四元数矩阵方程(AXB, CXD)=(E, F)的最小范数最小二乘Hermitian解的一个有效方法.首先应用四元数矩阵的实表示矩阵以及实表示矩阵的特殊结构,把四元数矩阵方程转化为相应的实矩阵方程,然后求出四元数矩阵方程(AXB, CXD)=(E, F)的最小二乘Hermitian解集,进而得到其最小范数最小二乘Hermitian解.所得到的结果只涉及实矩阵,相应的算法只涉及实运算,因此非常有效.最后的两个数值例子也说明了这一点.     

ZnO纳米颗粒的生物合成法及其抗菌功能

ZnO纳米颗粒（nanoparticles，NPs）的生物合成法具有高效、简易、环境相容性良好等特点，备受研究者的广泛关注。总结了近些年ZnO NPs的生物合成法及其抗菌活性方面的研究进展。     

Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 μm Cut-Off Wavelength Grown on GaAs

Top-illuminated metamorphic InGaAs p-i-n photodetectors （PDs） with 50% cut-off wavelength of 1.75 μm at room temperature are fabricated on GaAs substrates. The PDs are grown by a solid-source molecular beam epitaxy system. The large lattice mismatch strain is accommodated by growth of a linearly graded buffer layer to create a high quality virtual InP substrate indium content in the metamorphic buffer layer linearly changes from 2% to 60%. The dark current densities are typically 5 × 10^-6 A/cm^2 at 0 V bias and 2.24 × 10^-4 A/cm^2 at a reverse bias of 5 V. At a wavelength of 1.55 μm, the PDs have an optical responsivity of 0.48 A/W, a linear photoresponse up to 5 mW optical power at -4 V bias. The measured -3 dB bandwidth of a 32 μm diameter device is 7 GHz. This work proves that InGaAs buffer layers grown by solid source MBE are promising candidates for GaAs-based long wavelength devices.