集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究

制备了3.6,5.1和6.0 nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移; 大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明,测量精度为±3 ℃,其相对误差不大于5％。     

混沌中信号的投影滤波

根据混沌的确定性和几何结构特征,提出了预测性邻点选取方法和基于Delaunay三角化的邻点选取方法,改进了降低混沌中噪声的投影方法,建立了新的正交局部投影算法,给出了优化参数选择法则.这种方法成功地应用于提取Lorenz混沌中的微弱信号,在信噪比不低于-80dB条件下,能够准确提取信号信息.数值实验表明该投影滤波方法具有高度的稳定性和可靠性,是提取混沌中微弱信号的十分有效方法.     

X射线衍射分析非晶二氧化硅结构及其物化性质的研究

研究用不同水玻璃浓度合成的4个非晶沉淀二氧化硅样品的物化性质、近红外、热重差热行为。并用X射线衍射手段分析了非晶二氧化硅的结构参数,结果表明样品的短程有序范围在5～6个原子距离。最近邻配位数与最近邻原子距离的变化与样品的吸油值相一致,一定程度上反映了样品结构的紧密程度。     

Yb-In_2O_3纳米管的制备及其对甲醛的优异气敏性能

采用单管静电纺丝的方法成功制备了纯的与Yb掺杂的In_2O_3纳米管(Yb-In_2O_3).利用扫描电子显微镜和X射线衍射对样品的结构和形貌进行了表征,制作了基于纯In_2O_3和Yb-In_2O_3纳米管的气敏元件.研究表明,Yb-In_2O_3纳米管气敏元件在230℃下对100 ppm甲醛的灵敏度为69.8,是纯In_2O_3纳米管气敏元件对同浓度甲醛灵敏度(18.4)的3.8倍,其对100 ppm甲醛的响应恢复时间分别为4 s和84 s.并且,基于Yb-In_2O_3纳米管的气敏元件对100 ppb甲醛的灵敏度达到2.5.此外,该气敏元件还具有出色的选择性及稳定性,具备良好的实际应用前景.     

LiNiyCo0.1－yMn1.9O4正极材料的沉淀法制备及其结构与电化学性能

采用沉淀法制备了尖晶石型LiMn₂O₄和LiNi_yCo_0.1－yMn_1.9O₄ (y=0, 0.05, 0.1)正极材料. 应用FT-IR、XRD和SEM技术对不同掺杂样品的相结构与形貌进行了表征, 并用恒电流充放电测试和电化学阻抗技术研究了样品的电化学行为. FT-IR、XRD和SEM结果显示: 随着掺杂型LiNi_yCo_0.1－yMn_1.9O₄ 样品中Ni含量的减少, 位于519 cm^-1处的红外峰向高频方向移动; Ni、Co 或Ni/Co的掺杂降低了LiMn₂O₄的晶格参数; 掺杂型 LiNi_yCo_0.1－yMn_1.9O₄ 样品具有更好的分散度和小的粒径. 电化学实验结果表明, 不同成分的掺杂导致电化学性能改善的原因不尽相同. 其中LiNi_0.05Co_0.05Mn_1.9O₄样品因其较低的电化学极化和较大的Li⁺扩散系数而具有较好的电化学性能.     

超声辅助碱解萃取-气相色谱-电子捕获检测器测定海洋沉积物中8种多溴联苯醚

将超声辅助碱液分解杂质与溶剂萃取相结合,采用气相色谱-电子捕获检测(GC-ECD)建立了一种快速高效净化、萃取海洋沉积物中8种常见多溴联苯醚(PBDEs)的分析方法。样品在2.00 mol/L NaOH甲醇溶液中超声30 min,经正己烷萃取、单层硅胶净化、正己烷洗脱、旋蒸浓缩后定容至100 μL,采用GC-ECD分析。结果表明,PBDEs各单体的加标回收率为63.6%~110.3%,相对标准偏差(RSD)为1.7%~15.5%(n=5);十溴联苯醚(BDE-209)的检出限为0.097 ng/g,其他7种单体的检出限为0.002~0.011 ng/g(信噪比为3)。该方法的准确度和精密度较高,稳定性和回收率良好,可满足沉积物中PBDEs的分析要求。利用建立的方法测定了渤海表层沉积物中PBDEs的含量,8种PBDEs总含量在1.566~6.760 ng/g之间,其中BDE-209的含量为1.461~6.438 ng/g,总体呈现出由近岸向远岸递减的趋势,表明人为活动、表层冲刷和陆地河流的输入对渤海地区PBDEs的含量有重要影响。