Ag在CeO2-x(111)薄膜上的生长与电子结构

利用XPS和RPES技术研究了CeO_2-x(111)薄膜表面上的氧空位对Ag纳米颗粒的生长和电子结构的影响. XPS结果表明,室温下,Ag纳米颗粒在部分还原的CeO_2-x(111)薄膜上呈三维岛状生长, 并且岛密度比完全氧化的CeO₂(111)薄膜表面上的大, 说明氧空位可以作为Ag纳米粒子生长的中心. Ag3d_5/2芯能级的结合能随着Ag颗粒尺寸的减小而增大, 主要来源于终态效应的贡献. Ag和CeO_2-x     

Cu在ZrO_2(111)薄膜载体上的生长与界面相互作用

采用分子束外延法在Pt(111)单晶表面上制备有序的ZrO2(111)薄膜,利用低能电子衍射谱、同步辐射光电子能谱和X射线光电子能谱研究了Cu纳米颗粒在ZrO2(111)薄膜表面的生长模式和界面相互作用.结果表明,室温下Cu先以二维模式生长到0.15单层(ML),接着以三维模式生长.随着Cu覆盖度的减小,Cu2p3/2峰逐渐向高结合能位移,可归因于初态效应和终态效应共同作用的结果.Cu最初沉积到ZrO2表面时,两者间存在较强的相互作用,Cu向ZrO2衬底传递电荷,以Cu(Ⅰ)形式出现.当Cu覆盖度增加到1ML以后,Cu开始表现出金属特征.