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采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V2O5薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V2O5薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V2O5薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO2薄膜,晶体颗
关键词:
微观结构
氧化钒薄膜
择优取向
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