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| 超晶格结构的离子束沟道分析 | |
| 引用本文： | 潘传康,郑戴仇.超晶格结构的离子束沟道分析[J].物理,1987(6). |
| 作者姓名： | 潘传康 郑戴仇 |
| 作者单位： | 江西工业大学 (潘传康)，江西教育学院(郑戴仇) |
| 摘 要： | 1970年,Leo Esaki和 Ray Tsu首先提出了超晶格的概念1].他们从量子力学的基本理论推论出超晶格具有电子传输和光学性质的可剪裁性,并指出了可能实现的制备超晶格的方法,即把两种不同的半导体材料交替地生长在一起,形成一种超薄多层结构(组分超晶格).随着分子束外延(MBE)技术的完善和发展,三年后L.L.Chang等人用MBE方法首先成功地实现了Ga_(1-x)AIxAs/GaAs组分超晶格的制备2].其后 InAs/GaAs,InxGa_(1-x)As/GaAs,InAs/GaSb,AlSb/Gasb 和 GaAs_(x)P_(1-x)/GaAs等各种系列的组分超晶格都相继制成和得以研究. 把 RBS(Ruther… |
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