GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究

针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层（LT-HIL）,实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁（Cp₂Mg）流量和生长温度的影响。结果表明：随着Cp₂Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高。相比于无LT-HIL的样品,在20 mA工作电流下,Cp₂Mg流量为1.94 μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3%,而正向电压降低0.1 V。在Cp₂Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素。