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| 低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究 | |
| 引用本文： | 郑厚植,程文超,朱詠堂,王杏华,李月霞,毕可奎,李承芳,江丕桓.低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究[J].低温物理学报,1985(3). |
| 作者姓名： | 郑厚植 程文超 朱詠堂 王杏华 李月霞 毕可奎 李承芳 江丕桓 |
| 作者单位： | 中国科学院半导休研究所 北京 (郑厚植，程文超，朱詠堂，王杏华，李月霞，毕可奎，李承芳)，中国科学院半导休研究所 北京(江丕桓) |
| 摘 要： | 制备了4.2K下电子迁移率达1～2×10~4cm~2/v·sec的MOS反型层,在强磁场下观察到二维电子系统的一系列典型物理现象:SdH振荡及量子霍尔效应. |
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