CsI(Tl)晶体的辐照损伤研究

本文报道CsI(Tl)晶体辐照损伤的实验研究,结果表明,CsI(Tl)晶体具有辐照损伤效应.对被辐照损伤过的CsI(Tl)晶体作恢复研究.表明在200℃下加热4小时,可使辐照操作的CsI(Tl)晶体得到恢复.     

硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究

报道了硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究.测量了日本Hamamatsu生产的两种硅光电二极管的读出性能,包括能量分辨率与偏压、成形时间、灵敏面积和晶体尺寸的关系.     

硅微条探测器的研制

本文介绍了利用“平面工艺”新技术研制成功的硅微条探测器.该探测器所用的硅材料为n型硅,电阻率为3kΩ.cm,晶向<111>.探测器的厚度为400μm,灵敏面积为18mm×12mm,条宽为20μm,共有300个微条,在反向偏压为100V时,其漏电流为5×10^－9A.用电荷收集分布方法测得该探测器的位置分辨为5.3μm.     

L3强子量能器第一个模块正比室的研制

本文报导L3强子量能器第一个模块60个正比室的研制和性能测试.在充以Ar(80%)+CO₂(20%)混合气条件下,室计数率坪长125V,坪坡度3.4%/100V.输出脉冲具有良好的均匀性.长时间的高压"锻炼"能使暗电流减小.由正比室装配成的强子量能器模块,在CERN SPS试验束上进行了性能测试.取得了满意的结果.