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| 硅微条探测器的研制 | |
| 引用本文： | 毛裕芳,郭昭乔,张秀凤.硅微条探测器的研制[J].中国物理 C,1993,17(9):784-789. |
| 作者姓名： | 毛裕芳 郭昭乔 张秀凤 |
| 作者单位： | 1 中国科学院高能物理研究所 北京 100039;中国原子能科学研究院 北京 102413 |
| 摘 要： | 本文介绍了利用“平面工艺”新技术研制成功的硅微条探测器.该探测器所用的硅材料为n型硅,电阻率为3kΩ.cm,晶向<111>.探测器的厚度为400μm,灵敏面积为18mm×12mm,条宽为20μm,共有300个微条,在反向偏压为100V时,其漏电流为5×10－9A.用电荷收集分布方法测得该探测器的位置分辨为5.3μm. |
| 关 键 词： | 硅微条探测器 探测器 位置分辨 |
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