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1.
绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究   总被引:11,自引:8,他引:3       下载免费PDF全文
 采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约164μs、峰值电压1.8kV的输出。  相似文献   
2.
采用离子注入与反应磁控溅射相结合的方法在钛合金及硅片基体表面上制备了纳米TiC类金刚石(DLC)复合膜.通过纳米压痕技术检测了薄膜的纳米硬度,显微划痕试验评估了薄膜的结合力.通过X射线光电子能谱及X射线衍射表征了薄膜的化学结构.结果表明,通过改变C2H2气体流量,可以达到控制薄膜中钛原子含量的目的,合适的C2H2气体流量可以在DLC膜中形成较多的纳米TiC晶粒,形成DLC包覆TiC晶粒的复合结构,使DLC膜力学性能得到明显提高.另外,划痕试验表明掺钛、先注入后沉积工艺都使薄膜的结合力得到了较大提高. 关键词: 纳米TiC类金刚石复合膜 类金刚石膜 力学性能  相似文献   
3.
铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6 MeV时核阻止本领占主导地位,高于6 MeV时电子阻止本领成为主要的能量损失,并且离子注入过程中会出现能量沉积的Bragg峰和质量沉积区域较集中的现象,入射深度随能量的增加而增加。  相似文献   
4.
 采用低气压等离子体喷涂在DZ4镍基高温合金表面沉积NiCoCrAlY 涂层,并利用强流脉冲电子束(HCPEB)对其进行辐照处理。对HCPEB辐照处理前后的涂层的结构和性能分析得出,经HCPEB辐照处理后,疏松的涂层表面重熔,变得致密平整,产生微区光滑、熔坑和裂纹。X射线衍射分析表明,电子束辐照后涂层中的γ′相增多,涂层没有产生明显的残余微观内应力。900 ℃静态空气等温氧化试验结果显示,HCPEB辐照处理后,涂层的抗氧化性能明显提高。原因在于电子束辐照处理的涂层氧化后表面形成了更加完整的Al2O3保护层,同时γ′相的增加也有利于其耐氧化性能的提高。  相似文献   
5.
Thin films of titanium carbide and amorphous hydrogenated carbon have been synthesized on titanium aluminium alloy substrates by PSII assisted MW-ECRCVD with a mirror field. The microstructure, chemical composition and mechanical property were investigated. Using XPS and TEM, the films were identified to be a-C:H film containing TiC nanometre grains (namely, the so-called nanocomposite structure). The size of TiC grains of nanocomposite TiC/DLC film is about 5 nm. The nanocomposite structure has obvious improvement in the mechanical properties of DLC film. The hardness of a-C:H film with Ti is enhanced to 34 G Pa~ while that of a-C:H film without Ti is about 12 G Pa, and the coherent strength is also obviously enhanced at the critical load of about 35N.  相似文献   
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