基于 HNBUE(HNWUE) 寿命分布类的M/G/1排队等待时间分布函数的指数型界值

本文考虑一个M/G/1排队,其中顾客到达率为λ(0)和服务时间分布函数为G(t).在顾客服务时间的分布函数G(t)具有HNBUE(HNWUE)分布类特性的条件下,本文研究等待时间分布函数的界值问题,得到等待时间分布函数的易于计算的、有实用价值的指数型界值表达式,并通过计算例子表明所得结果有应用价值.     

Enhanced near-infrared responsivity of silicon photodetector by the impurity photovoltaic effect

The near-infrared responsivity of a silicon photodetector employing the impurity photovoltaic(IPV) effect is investigated with a numerical method. The improvement of the responsivity can reach 0.358 A/W at a wavelength of about1200 nm, and its corresponding quantum efficiency is 41.1%. The origin of the enhanced responsivity is attributed to the absorption of sub-bandgap photons, which results in the carrier transition from the impurity energy level to the conduction band. The results indicate that the IPV effect may provide a general approach to enhancing the responsivity of photodetectors.     

基于1×4光子晶体波导分束器的特性研究

光子晶体波导分柬器是集成光学电路的重要组成元件。设计一种线缺陷1×4光子晶体分束器,用时域有限差分法研究其特性。实验结果表明：输出端的透射传输特性随入射光的波长和分支的几何形状有关,并且入射波分别相等地流入4个输出端口。为了减少1×4分束器在3个Y型分支区的反射,通过调节分支区的可调介质柱的半径尺,可使每个输出端口输出较高的透射率。     

退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜     

基于1×4光子晶体波导分束器的特性研究

光子晶体波导分束器是集成光学电路的重要组成元件。设计一种线缺陷1×4光子晶体分束器,用时域有限差分法研究其特性。实验结果表明:输出端的透射传输特性随入射光的波长和分支的几何形状有关,并且入射波分别相等地流入4个输出端口。为了减少1×4分束器在3个Y型分支区的反射,通过调节分支区的可调介质柱的半径R,可使每个输出端口输出较高的透射率。