溶液酸度和反应温度对CaMoO4薄膜电化学制备的影响

本工作研究了恒电流电化学技术制备CaMoO₄薄膜工艺中，溶液酸度和反应温度对薄膜形成的影响。结果表明，酸度会影响薄膜的生长时间和光致发光特性，在较低酸度沉积薄膜时，容易造成薄膜的团簇生长和不确定相的形成；适当升高反应温度会加快晶粒的生长、提高薄膜的纯度、增加薄膜发射光谱的相对强度。在CaMoO₄薄膜电化学制备工艺中，溶液pH值控制在12.0附近和反应温度控制在60 ℃的左右比较好。     

室温电化学法制备白钨矿SrWO4晶态膜的生长特性研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性.研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr2+对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的方向开始分叉,晶粒越大分叉越多;最终,当SrWO4薄膜生长过程结束时,团簇生长的花菜状晶粒布满整个基片,形成致密的薄膜.该研究结果对晶态薄膜电化学制备生长机制的认识、以及采用电化学方法制备晶态薄膜的工艺调控都具有重要意义.     

采用电化学技术制备SrMoO4薄膜的生长特性实验研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性.研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的.上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义.     

哈佛大学物理专业拔尖人才培养模式探讨

探讨了哈佛大学物理专业拔尖人才的培养模式,诸如严谨与灵活并重的遴选方式、广度与深度并举的学业方案、宽松与紧致共存的评价体制、合作与竞争同在的集群建设.     

美国大学物理学分层次教学研究

以麻省理工学院、耶鲁大学、斯坦福大学为例,详细介绍了美国一流大学物理学入门课程和物理专业分层次教学及其课程设置,读者可以通过此文深入了解美国大学物理教育情况,也能够为国内大学物理教学改革提供一些好的范例,起到一定的借鉴作用.     

钨酸盐薄膜的原电池电化学制备技术及其发光性能

采用室温原电池电化学技术在钨衬底上制备出了具有发光性能的BaWO4、SrWO4、CaWO4薄膜,利用X射线衍射仪、扫描电镜、荧光光谱仪对样品进行了分析,对薄膜的发光性能进行了研究。XRD分析表明,所制备的钨酸盐薄膜是高度结晶的,呈四方结构;SEM观察表明,在原电池条件下,这些晶体以四方锥形的习性生长。室温下的荧光性能测试表明,所制备的BaWO4、SrWO4、CaWO4薄膜在220nm至240nm的光激发下,均在450nm附近出现一个蓝光发射带,而BaWO4薄膜还在310nm的光激发下,在400nm及590nm附近出现额外的发射带,形成从400~590nm的准连续发射光谱。研究表明,原电池电化学技术为某些功能陶瓷薄膜的制备提供了一条环境协调的、廉价便利的工艺新路线。