Theoretical Prediction on the Germylenoid HB=GeLiF and Its Insertion Reaction with R-H（R = F,OH,NH_2）

In the present work we investigated a novel triplet ground-state germylenoid HB=GeLiF as well as its insertion reactions with RH(R = F,OH and NH2) using the DFT B3LYP and QCISD methods for the first time.Geometry optimization calculations show that the triplet HB=GeLiF has three equilibrium structures,in which the four-membered ring structure is the most stable with the lowest energy.All mechanisms of the three insertion reactions of germylenoid HB=GeLiF with RH(R = F,OH,and NH2) are identical to each other.Based on the calculated results,it is concluded that under the same conditions the insertion reactions should occur easily in the order of H-F > H-OH > H-NH2.In THF solvent the insertion reactions get more difficult than in the gas phase.     

基体电导率对0-3型铁电复合材料高压极化行为及损耗的影响

提出了一个0-3型聚合物基铁电复合材料的直流高压极化模型.模型中考虑了聚合物/铁电陶瓷界面处自由电荷的积聚及极化初始时刻的真实情况,利用拉普拉斯静电场方程,并结合边界条件,得到了直流高压极化过程中复合材料的极化强度、界面电流密度等随时间的演化方程,同时得到介电常数、介质损耗等物理特性的表达式.此外,实验制备了分别以环氧树脂E-44和铁电共聚物P(VDF-TrFE)为基体的两种0-3型铁电复合材料.从理论和实验两方面研究了基体电导率对极化行为以及介质损耗的影响.两方面结果均表明：随基体电导率增加,极化时间缩短,陶瓷相的极化强度及复合材料的整体电性能提高,但是漏电流及介质损耗增加.而且实验结果与直流高压极化模型的预测结果符合. 关键词： 铁电复合材料 电导率 极化 介质损耗     

对硝基苯甲酰芳基偶氮化合物的合成及其结构表征

以取代苯肼、自制的对硝基苯甲酰氯为原料,用冰浴法合成了3种对硝基苯甲酰芳肼化合物,并用NaBrO3/H2SO4氧化体系脱氢得3种对硝基苯甲酰芳基偶氮化合物,产品的结构经元素分析、IR、1HNMR确证,产率在84%-93%之间.     

微乳液增溶分光光度法测定硫酸阳极氧化液中的铜

研究了铜与1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)在微乳液中的显色反应,建立了测定硫酸阳极氧化液中铜的新方法。以微乳液为增溶增敏剂,在酸性条件下使Cu-PAN络合物稳定保持在水相中,直接进行光度分析。该体系的络合物在558 nm处有最大吸收峰,线性范围为0~2.8μg/mL,其表观摩尔吸光系数ε=2.32×104L.mol-1.cm-1,该法用于测定硫酸阳极氧化液中的铜在不同水平的加标回收率为96.3%~102.1%。结果表明,该法准确、快速、简便,其它的常见离子无干扰。     

脉冲激光制备薄膜材料的烧蚀机理

研究了脉冲激光烧蚀靶材的整个过程.从包含热源项的导热方程出发，利用适当的动态边界条件，详细研究了靶材在熔融前后的温度分布规律，并且给出了熔融后的固、液分界面的变化规律.熔融后的温度演化规律和固液相界面均以解析表达式的形式给出.还根据能量平衡原理给出烧蚀面位置随时间的变化规律.以硅靶材为例计算模拟了激光烧蚀的整个过程，与实验结果符合较好. 关键词： 脉冲激光 烧蚀面 熔融 温度演化     

meso-四-(邻氯对磺酸苯基)卟啉荧光熄灭光度法测定银

meso-四-（邻氯对磺酸苯基）卟啉（简称o-Cl-TPPS4）作为一种灵敏的显色剂已用于分光光度法测定铅。试验发现，该试剂的水溶液在光的激发下发出红色荧光，当与银离子反应生成配合物后，其荧光能定量熄灭，因此可用于微量银离子的定量测定。本法研究了最佳的测定条件，并用该方法测定了定影废液中银，与原子吸收光谱法（AAS）相比，结果满意。     

基于聚N-甲基苯胺/Ni2+修饰玻碳电极的无酶葡萄糖传感器研究

在0.50 mol·L-1 HClO4溶液中,采用循环伏安法在玻碳(GC)电极上修饰聚N-甲基苯胺(PNMA)薄膜,然后将电极浸泡在1.0 mol·L-1 Ni(NO3)2溶液中,使Ni2+渗入PNMA薄膜中得到PNMA/Ni2+/GC电极,研究了该修饰电极的伏安特性及对葡萄糖的电催化氧化行为.实验结果表明,在0.10...     

PZT四方相区介电常数εr与晶格畸变关系的研究

从Haun的PZT热力学理论出发，给出了PZT四方相区介电常数ε_r与晶格畸变c/a关 系的基本方程，并深入地根据相关实验资料和物理图像的合理推论，建立了关于晶格畸变c/ a与介电常数ε_r相互依赖的基本关系式.然后，根据该基本关系式仔细地研究了PZT四 方相区晶格畸变c/a对介电常数ε_r影响的物理图像.与相关实验资料比较表明，基本 关系式得到的介电常数ε_r随晶格畸变c/a的变化规律,与相关实验结果相比较，两者 吻合得 关键词： 晶格畸变 r')" href="#">介电常数ε_r 四方相 PZT     

脉冲激光制膜过程中等离子体演化规律的研究

利用有限差分法对脉冲激光沉积(PLD)技术制备KTa065Nb035O3(KTN)薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了模拟，并给出了其中主要粒子在空间的具体演化规律，对等离子体在空间膨胀的物理机制，进行了深入的讨论，给出了相应演化过程的物理图像，并揭示了等离子体羽辉在膨胀过程中呈现椭球外形的内在原因.