磁阱等离子体源离子注入研究

本文描述在磁阱装置中利用旋转等离子体的概念给浸泡于等离子体中的样品施加直流高压的实验工作,工件电压高达-22kV,文中还对相关物理问题进行了定性分析。     

边角效应对双辉离子渗金属加工的影响

在采用双辉光放电实施的离子渗金属加工中，存在强烈的边角效应。从等离子体性能入手，实验研究了这种边角效应，并分析了该种边角效应产生的原因，讨论了它对双辉光放电离子渗金属加工的影响。     

热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系

本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电子显微镜(HREM)观察,这些点状缺陷相当于晶体结构为β-方石英的片状SiO₂晶态沉淀,它们与硅基体界面上有半数硅原子处于失配状态,失配原子的悬挂键可以成为新施主的来源。新施主的产生受控于β-方石英沉淀物的形核、长大及其结构变化。 关键词：     

对阴极双辉等离子体的实验研究

介绍了双辉离子渗金属技术的原理，对该技术所采用的不等电位对阴极双辉光放电的等离子体态性能进行了实验研究。研究表明：在一定条件下在阴极双辉放电中能够产生增强型放电，对增强型放电的特征以及增强型放电的原因进行了初步的探讨。     

高温氘等离子体中的势垒贯穿

讨论了高温氘等离子体中的势垒贯穿问题。在现有高温氘等离子体参数下，氘核间必须历经库仑散射与隧道贯穿相结合的复合贯穿才能引发核聚变。冷核聚变与热核聚变在本质上没有区别，都需要借助隧道效应才能发生，它们之间的差异仅在于引发隧道贯穿效应的初始条件不同。因此，在冷核聚变研究中除了过热外．也应有放射性物质的释放。     

磁阱中的低温等离子体

本文分析了在一个棒镜线圈组合成的磁阱装置中,当沿着镜场轴线注入电子束,电子束与中性氢分子碰撞电离产生等离子体时,等离子体在该磁阱中的行为,文中也介绍了对这种等离子体进行实验研究的结果。     

在几种约束模式下氘核对氘核的势垒贯穿

分别对游离态的氘氘核系统,磁阱位形下的氘等离子体,共有电子对约束的氘氘核系统,以及在晶格强力约束下实现了高密度积累的氘氘核系统中氘核间库仑相互作用的位能曲线进行了讨论,并以此为基础在一维方势垒近似下研究了在上述几种约束模式下氘核对氘核的势垒贯穿,以及因此而引起的核反应率随相关参数的变化情况.研究表明,冷聚变在物理上是说得通的,但聚变率太低,看不出有任何现实意义. 关键词： 势垒贯穿 核聚变 冷聚变