非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9 ∶1的多晶CuAlO₂靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500 ℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52 eV,与CuAlO₂相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500 ℃附近薄膜电导率达到2.48×10^-3 S·cm^-1. 关键词： Cu-Al-O 衬底温度 透过率 电导率