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皮秒双脉冲LA-LIBS对合金样品的微损元素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了基于一台皮秒Nd∶YAG激光器实现合金样品的双脉冲激光剥离-激光诱导击穿光谱(LA-LIBS)微损元素分析。实验采用低能量的532 nm二倍频激光烧蚀并剥离出微量样品,然后采用较高能量的延时1064 nm激光对剥离出的样品进行二次激发,以增强等离子体中的原子辐射强度和提高光谱检测灵敏度。实验分别研究了烧蚀激光脉冲和二次激发光脉冲的能量对信号强度的影响。在烧蚀激光脉冲能量为10 μJ,二次激发光脉冲能量为2.5 mJ的条件下,LA-LIBS中Cu Ⅰ 324.75 nm原子谱线的强度与单脉冲LIBS相比改善了86倍,激光烧蚀坑洞的直径小于10 μm。研究表明:基于一台皮秒Nd∶YAG激光器,采用双脉冲LA-LIBS技术可以较好地实现对固体样品的微损元素分析。该技术在贵重样品分析和高空间分辨的二维元素显微分析中具有一定的应用价值。 相似文献
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在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,快过程的时间常数在128~250ps范围,低温77K下则都有所变慢,大约在186~564ps范围内;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异,室温下大约在308~1832ps之间变化,低温77K下,则在纳秒量级,最长的甚至达到28ns以上.对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明,快过程对应于有序区域中载流子的复合,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中
关键词:
时间分辨光致发光谱
III-V族半导体
有序合金 相似文献
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利用稳态荧光谱和时间分辨荧光技术研究了温度对半花菁Langmuir-Blodgett(LB)多层膜光致荧光特性的影响.半花菁分子在半花菁/花生酸、半花菁/花生酸镉交替及纯半花菁Z-型LB多层膜中均形成了H-聚集体,加热能使聚集体部分离解.由于Z-型膜中没有花生酸或花生酸镉的屏蔽,分子间具有较强的偶极相互作用,加热使聚集体的离解的程度较小.镉离子的加入对半花菁LB多层膜的稳态荧光谱也有一定的影响. 相似文献
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利用时间分辨光谱研究了(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金的时间衰退过程,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z-型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在,证实了我们对超晶格带折叠效应的猜测。子带是由于有序结构的超晶格效应使导带的L带折叠到Γ带,载流子在时间衰退过程中从Γ带转移到L带。时间分辨光谱的蓝移现象同时也揭示了PL变温谱中谱峰反常蓝移现象的来源。 相似文献
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