Photoluminescence study of the annihilation process of donor-bound excitons in ZnO： observation of quantum mechanical interference

We report a photoluminescence observation of the coupling of donor-bound excitons and longitudinal optical phonons in high-quality ZnO crystals at 5 K. The first-order phonon Stockes line of donor-bound excitons exhibits a distinct asymmetric line shape with a clear dip at its higher energy side, suggesting that quantum mechanical interference occurs during the annihilation of donor-bound excitons. The donor binding energy is determined to be 49.3 meV from spectral featural.     

OPCOT在Ru(0001)表面上的紫外光电子能谱研究

采用紫外光电子能谱,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯(OPCOT)在金属Ru(0001)表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用.位于费米能级以下43,69,93和114eV处的4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH和σHH轨道,位于30eV处的谱峰反映了8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键.OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下25eV处,OPCOT材料在Ru(0001)表面上的功函数为395eV.150℃以下,OPCOT材料可以在Ru(0001)表面稳定存在.随温度的升高,OPCOT材料主要以脱附的形式减少 关键词： 八芳基环辛四烯 光电子能谱 价电子结构 脱附     

COT-H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析

采用紫外光电子能谱（UPS），分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯（COT H）有机发光材料与金属之间的界面电子结构，研究了在金属/COT H界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2 eV处的三个谱峰分别来自于COT H材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8 eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C－C键.从UPS谱图中可以看到， COT H材料的最高占有态（HOS：highest occupied state）位于费米能级以下1.8 eV处.COT H材料的逸出功只有3.2 eV，比清洁Ru表面的逸出功小1.0 eV.角分辨紫外光电子能谱（ARUPS）的结果表明,组成COT H分子应该近似平行于衬底表面.     

单模光子在光纤中运动的极化及几何相因子

研究在光纤中运动的单模光子在固定系中的自旋算符表式,在将螺旋度当作不变量的基础上构造使光纤中光子极化面转动的有效哈密顿量,运用与不变量有关的幺正变换方法,获得了光纤中运动光子演化方程(含时薛定谔方程)的精确解,并研究光子在光纤中运动的极化问题,包括几何相因子、总哈密顿量和波函数演化算符的显式. 关键词： 几何相因子 光纤 不变量 幺正变换