一类逆半群的亚直可约性

本文利用逆半群上的同余扩张，讨论了一类逆半群的亚直可约性，并刻划了这类逆半群的幂等元集的特征。     

冷聚变拉据战进入百热化

1989年3月27日美国尤氩他大学教授S.Poms和英国南安普顿大学教授M.Fleisch—mann宣布:在钯电极内部出现重氢核聚变,并产生大量的热,中子与氚这一重大发现。(《化学研究与应用》1989 1(1),100),E.F.Mallove认为大量过剩热的产生,不能用已知化学过程来解释,是一种迄今不为人知的核过程,一种异乎寻常的清洁反应。但是,同年在一次美国能源部召开的,罗彻斯特大学核化学家物理学家R.Huizenga主持的会议,断然作出结论:     

美国数学会《数学评论》(文摘)1987年1—6期有关《数理经济学》目录

☆动态对策及其在经济学中的应用 (1985年6月在伦敦举行的第十七届经济动力学和控制论年会论文集)Edited byT。BasarLeeture Notes in Eeonomies and Mathematieal systems,265SPringer一venlag,Berlin一New York,1986Ingrao,Bruna(I一ROME);Isran,Giorgio(I一ROME)一般经济平衡理论Fund Sei6(1985),nol,1一45Russell,R Robert(1一NY)关子不可分解的不等式测度的注释获ev Eeonom Stnd 52(1955),no.2,347一352ten Raa,竹ijs(NL一ROTT)生产集的闭性2 .Nati伽a16konom.45(1985).no。2,155一160Cheng,Leonard(1一FL)需求函数…     

论浮力的计算

通过讨论物体下表面不与液体接触时浮力的计算,总结浮力计算的一般方法.     

激光推进的基本原理和实验进展综述

激光推进是一种新型的推进模式,按作用机理可分为大气模式激光推进和火箭烧蚀模式激光推进两种。分析了两种推进模式的作用原理,论述了激光推进的最新研究进展。     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法，系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应，进行了高阶Breit修正和QED修正，所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。     

High repetition rate TEA CO_2 laser with randomly coded wavelength selection

High repetition rate transversely exited atmospheric pressure (TEA) CO2 laser with randomly coded wavelength selection is suggested. The laser wavelength is tuned by a Fabry-Perot (F-P) etalon of low fineness, whose space interval is controlled by a piezoelectric transducer (PZT). A digital controlled programmable voltage source is introduced to vary the voltage applied on PZT so as to swiftly shift the laser output wavelength pulse by pulse. Detailed theoretical analysis is carried out by six-temperature mode rate equations.     

真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。     

HL—1装置SiC涂层辐照实验的表面分析

本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。