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利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X (X=Cr，Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现，Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品，颗粒尺寸和表面粗糙度较小，而且磁畴明显，说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
关键词：
CoCrTa
垂直磁记录
缓冲层
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