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一、引 言 这里的非共振发射谱是来源于碰撞引起的激发态精细结构之间的能量转移.对Na的第一激发态就是 Na(32P3/2)+X Na(32P1/2)+X+ E(1)其中X是具有一定动能的碰撞原子,△E是3P态精细结构分裂能量。 精细结构之间的能量转移过程的研究不仅对于了解原子之间相互作用的机制有重要作用,而且很有实际意义.例如,最近Gelhwachs等人[1]把饱和光学非共振发射谱用于Na的单原子检测得到了相当好的结果. 我们利用Ar+激光泵浦的连续染料激光器对Na原子的D1,D2线分别进行选择性激发.观察了共振及非共振荧光.研究了它们随激发光强、Na原子密… 相似文献
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一、引 言 关于原子共振和近共振吸收和散射的研究,对于认识等离子体和中性气体的辐射能量转移过程以及原子之间相互作用的特性是非常重要的; 特别是近共振散射能量再分布的研究对于了解星际和星际系介质中辐射能量转移过.程是很关键的.但目前,关于近共振散射再分布函数的直接测量进行得很少.Carlsten等人利用脉冲染料调频激光器,将其频率调到Sr原子4607A0(1p01-1s0)共振线附近,测量了近共振散射光谱的再分布,得到了瑞利散射与△-2(△表示入射激光频率ωl与原子共振频率ω。之差)成比例,得到了感生的共振荧光随△的变化曲线及其随△符号变… 相似文献
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对于深能级杂质,通常的有效质量近似已不再成立。本文由Bloch波函数出发,应用赝势的概念,证明了杂质波函数及能级满足一等效的薛定谔方程。其中除包含通常的长程库仑位势外,还有一短程位势,后者随不同杂质原子而异。对浅能级杂质,它引起谷-轨道分裂,但对深能级杂质,它已不能看成微扰项了。我们讨论了这部分短程位势对杂质束缚能级的影响。只有当等效势阱深到足以单独地引起电子的共振散射或束缚态时,它对杂质束缚能级才有很明显的影响,束缚能级随此势阱加深而迅速增加。此外可以证明,短程作用的带间矩阵元可以近似用一等价带内排斥势来代替,当束缚能接近禁带宽度时,带间作用影响很大。我们指出,带间作用可以解释为什么杂质能够同时俘获电子和空穴。通过一个简单的例子,我们进行了具体的数值计算,并进一步分析了短程作用的影响。最后我们利用这个简单模型讨论了Cu,Ag,Au在Ge中的能级。 相似文献
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本文利用Si中浅能级施主的有效质量波函数,计算了束缚施主电子与Si~(29)核超精细作用的等效自旋哈密顿量。超精细作用中不同谷的Bloch函数之间,相干效应非常明显,超精细作用的各向异性主要是由谷间相干效应决定的。在强场近似下求出了Si~(29)核的核磁共振频率的表示式,定量地解释了Feher的实验结果,并且可以由实验定出谷间磁偶极相互作用矩阵元。从正交干面波的观点出发进行了计算,与实验结果比较定出了导带底布洛赫函数中2P心态波函数的组合系数的大小为0.20。指出了利用双共振方法及其压力效应有可能测定导带底的波矢及有效质量波函数的各向异性分布。 相似文献
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本文利用Ge中浅施主杂质的有效质量波函数,计算了束缚电子的等效自旋哈密顿量,得到在没有外压力及内应力情况下,仅当Ge的导带极值偏离(2π)/α[111]点时,共振频率才是各向导性的。指出通过电子-核双共振实验可能较确切的判断Ge中导带极值的位置。利用畸变势理论及微扰论,计算了在一般缓变的非均匀内应力作用下,共振频率及自旋共振线宽随磁场方向的各向异性变化。最后具体计算了在以拉伸法生长的晶体中和在弯曲的范性形变下,在最主要的位错类型([211]方向刃型及[110]方向螺型位错)应力场作用下自旋共振线宽的非均匀加宽,指出对于不同类型及不同取向的位错有不同的各向异性线宽。与Wilson的实验结果比较,我们得到当位错密度小于104εcm-2时,位错应力不是形成线宽的主要原因,当磁场在不同的(110)平面内旋转时,线宽将有相似的各向异性。当位错密度大于105εcm-2时,位错应力对线宽的贡献是主要的。这很容易由实验判断。 相似文献
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