高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器

本文从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择,得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则.制作了两只光纤光栅外腔半导体激光器,Q₁为短外腔(<2mm)、短光纤光栅(4mm)结构,Q₂为长外腔(20mm)、长光纤光栅(17mm)结构.测量Q₁的主边模抑制比为35dB,Q₂的主边模抑制比为10dB.     

实用化线性啁啾光纤光栅的研制

我们用等周期的相位掩模板,摘用光纤倾斜曝光或二次曝光的方法,做出啁啾光纤光栅,色散量可达170ps/nm。并用在10Gb/s高速光纤通讯系统上,成功地实现了180公里的信号传输的色散补偿。