GaN HEMT器件结构的研究进展

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。     

Chemical Liquid Phase Deposition of Thin Aluminum Oxide Films

Introduction Inorganic oxide films have attracted a lot of interest in the last several decades. Among them, silicon dioxide films are widely used in modern microelectronics, optics and mechanics. This material has been grown by various methods including thermal oxidation, chemical vapor phase deposition, plasma-enhanced chemical vapor phase deposition, and so on.1,2 Recently, Nagayama et al.3 have reported that SiO2 thin films could be produced by a new chemical method of liquid phase depos…     

在既约梯度法中有限性转轴的简化

In [1], a finite pivoting process was introduced, by which the convergence ofthe reduced gradient algorithm under certain conditions has been proved. In thispaper, we give two simplified versions of the process, which have all the propertiesstated in [1].     

结温对高压白光LED光谱特性的影响

高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。     

硼酸类化学传感器的研究进展

检测和识别体内某些物质,例如唾液酸化LewisA/X,能够为疾病的诊断、治疗、预后、分子示踪及深入研究相关疾病机理等方面提供重要参考.因此,开发高选择性、高灵敏度的化学传感器具有重要价值.苯基硼酸化合物由于其特殊结构,能够与糖、儿茶酚胺以及氟化物、氰化物等路易斯碱相互作用,使得其能够作为传感器用于相关物质的荧光识别和检测;且此类化合物具有高选择性、高效能、分析速度快等优点.近几年,将硼酸与纳米粒子、量子点等新材料相结合,设计出性能更加优越的硼酸传感器.综述了硼酸类化合物在传感器方面的研究进展.     

激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用

与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比, 激光分子束外延技术(L-MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术, 在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力.在讨论ZnO薄膜基本特性的基础上, 较为详细地论述了激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用和取得的新进展.     

GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究

理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象. 针对目前报道的GaN基发光二极管的理想因子的问题, 通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值, 分别讨论了12 V, 19 V, 51 V 和80 V GaN基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系, 分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系. 另外, 还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析. 结果表明: 高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加, 高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的. 这对GaN基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值.     

应用客户同／服务器技术开发热自助系统

热自助系统是证券信息中的重要组成部分，现有的热自助系统在系统在系统适应性和可维护性上存在着不足，本文介绍了使用客户机／服务器技术开发热自助系统，从而提高了系统的逻辑独立性和适应性。     

基板厚度对爆炸复合材料界面状态的影响

本文在试验的基础上，通过数值计算，验证了基板厚度对爆炸复合材料界面状态的影响。提出了当量厚度的概念，并从理论上进行了分析说明。从而丰富和发展了爆炸焊接的成波机理。     

半定优化与半光滑牛顿算法

本文讨论半光滑牛顿算法的基本概念与其在求解半定优化问题中的应用．特别地，该算法可用于求解线性或非线性半定互补问题．本文同时综述最近在矩阵方程，增广拉格朗日公式和半定优化稳定性方面的、源于半光滑牛顿算法的理论成果．