求晶体位错自能的离散弹性方案

考虑到晶体的离散点阵结构,滑移只能在原子之间进行,因此位错中心永远没有原子,位错中心附近分摊到每个原子的离散弹性能量处处有限。在刚性位错假定下,直接应用位错弹性理论解析结果,求出了晶体直奇异位错等效内切半径及其随位错中心位置的周期变化。对于简单四方晶体中奇异螺型位错,一级近似与Peierls模型结果巧合。计算了fcc和bcc两种晶系中各种位错的自能和等效位错内切半径,并初步考虑了各向异性弹性效应。结果表明:位错滑移面不是几何平面,bcc螺型位错滑移面类似于蜂巢结构。指出了用这种离散弹性方法进一步估算各种次级效应的可能。 关键词：     

面心立方金属中运动弯结与可动溶质原子的滞弹性交互作用

对于在周期分布运动弯结的应力场作用下,均匀体扩散的面心立方金属中替代溶质原子遵守的普遍微扩散方程,采用离散空间变量的有限富氏变换求解。求出了稳态微振动弯结的能量耗损和阻尼系数、稳态匀速运动弯结的弹性回复力和拖曳阻力,以及静止弯结的瞬态刚性的普遍求和公式。求和对倒易点阵第一布里渊区中N³。个不同波矢进行,N³是每个弯结平均分摊的晶格原子数。 对于这些量和刃型直位错的相应量进行了数值求和,得到了令人满意的结果。     

晶体位错的离散弹性模型——位错中心结构和P-N力

在离散弹性模型中考虑了位错中心位错密度分布的影响,计算了fcc和bcc两种各向同性弹性介质中,不同中心结构的螺型位错的自能、等效内截半径与位错中心位置的关系,估算了不同滑移面上P-N力。讨论了原子热振动对P-N力的影响,比较了离散弹性方法与现有其它方法的结果,据信离散弹性方法是一种进一步进行更深入计算的有效方案。 关键词：     

振动弯结与点缺陷交互作用时间平均场的对称破缺及自组织现象

计算了各向同性弹性介质中螺型位错上几何弯结与替代溶质原子弹性交互力场和刚度场。计算了简谐振动弯结的弹性交互作用的按时间平均场沿螺型位错芯管道的分布。当振幅大于近似为弯结宽度的临界振幅后,平均交互作场发生对称破缺、由单峰变成双峰,弯结中心由溶质原子的低能稳定位置变成不稳定位置。分析了替代溶质原子沿螺型位错管道扩散自组织形成双峰气团并使弯结振动由简谐型过渡到多谐振动的参数范围。 关键词：     

可动点缺陷对与运动弯结的滞弹性交互作用

对于在周期分布的运动内应力源作用下,面心立方晶体中Zener对和不对称点缺陷对的微扩散方程采用有限傅氏级数和拉氏变换求解。得出弯结刚性和阻尼系数的有限求和表达式。给出了有关数值计算结果。对于刃型位错与不对称点缺陷对的滞弹性交互作用得出了简单解析结果,与以前用别的方法所得结果相符。讨论了点缺陷内耗的位错增强效应。 关键词：     

静态超高压大腔体中热流的计算机模拟(Ⅰ)——基本方程和数值求解方法

对六面顶静态超高压大腔体中传热问题采用二维柱对称近似，提供一种能在计算机上实现的求瞬态和稳态温度分布的数值计算方法．估计了误差，推导了静态温度分布的近似解析表达式． 关键词：     

间隙原子非线性应力感生扩散的简化弹性偶极子模型

为了阐明体心立方晶体中外应力、位错应力和八面体间隙原子相互作用的本质,从理论上解释S-K弛豫和位错对Snoek弛豫的影响,提出一个简化的含有可动位错的一维弹性偶极子格点模型,讨论位错应力场中间隙原子的非线性应力感生扩散,为进一步对实际晶体的从头数值计算奠定基础。对一维模型的计算机模拟计算,表明位错应力场使得间隙原子形成具有非线性扩散特征的缺陷Fermi-Dirac分布,并增强了Snoek效应,在Snoek峰高温侧出现一个非线性扩散Snoek型内耗峰。 关键词：     

静态超高压大腔体中热流的计算机模拟(Ⅱ) 计算结果与分析

计算了不同传压介质和加热筒变形对静态超高压腔中温度稳态分布的影响．稳态数值计算结果与近似解析公式结果及非稳态数值计算结果相符．由稳态最高加热温度对加热功率实验曲线斜率估算出叶蜡石的热导率与高压传热专门测量结果相符．     

Diamond Structure BeO, Designable Super-Hard Materials and Semiconductor Be-Diamond

It is possible for Beryllium oxide （BeO） to have a cubic diamond structure although it normally has a hexagonal structure under ambient conditions. As the solution of cubic BN and diamond, the solid solution of cubic BeO- diamond or BeO-cBN-diamond can potentially be a kind of super-hard materials with designable hardness; and this solution has also been confirmed based on our preliminary first principles calculations. In addition, the nonstoichiometry of BeO could create a mobile carrier in the cubic BeO-C or BeO BN-C system and it might lead to a new type of semiconductor Be-diamond.     

静态超高压大腔体中热流的计算机模拟(Ⅱ)计算结果与分析

计算了不同传压介质和加热筒变形对静态超高压腔中温度稳态分布的影响.稳态数值计算结果与近似解析公式结果及非稳态数值计算结果相符.由稳态最高加热温度对加热功率实验曲线斜率估算出叶蜡石的热导率与高压传热专门测量结果相符. 关键词：