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常用的氧化物负载金属催化剂通常在水相中制备,且在使用前常常需要经过煅烧. 因此,氧化物载体表面的水合和脱水过程对于负载型金属催化剂的真实建模至关重要. 通过第一性原理分子动力学模拟,本文考察了温和温度下无水单斜氧化锆(111)表面在显式溶剂水中的演化. 在模拟过程中,所有的双重配位桥位氧位点很快被溶剂水质子化,形成酸性羟基(HOL),并在锆原子上留下碱性羟基(HO*). 这些碱性羟基(HO*)可以与表面未解离的吸附水分子(H2O*$)进行活跃的质子交换,进而在表面自由扩散. 在273 K到373 K的温度范围下,第一性原理分子动力学水相模拟可以得到一种较为确定的、有代表性的平衡水合单斜氧化锆(111)表面,其表面锆原子上覆盖度(θ)为0.75. 随后,为了模拟低于800 K的温和煅烧温度下的表面脱水过程,本文使用密度泛函理论计算了表面水分子的逐步脱附自由能. 通过获得表面的脱水相图,总结了不同煅烧温度下有代表性的、部分水合的单斜氧化锆(111)表面(0.25≤θ<0.75). 这些水合单斜氧化锆(111)表面具有重要的理论意义,可以方便快捷地被应用于氧化锆催化剂及氧化锆负载金属催化剂的真实建模与模拟. 相似文献
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2008年Nature~([1])发表了专题评述-"The Missing Memristor Found",对Leon Chua教授所提出的"忆阻元件"~([2])的存在予以了明确证明.论文指出,根据对称性原理,目前存在的三种基本电子元件(电阻、电容、电感)并不能完全涵盖电流、电压、电量以及磁场之间的关系,必须补充上一个忆阻元件(Memristor:memory resistor)才能使其对称性完备.而忆阻是联系磁通量与电量关系的物理量,忆阻值的变化与元件中电荷的迁移与重新分布有关.只有在电荷流为线性条件下,忆阻与电阻才是等价的. 相似文献
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