中温商业SCR催化剂碱和碱土中毒特性研究

在实验室条件下对选择性催化还原(SCR)商业催化剂的碱(K)和碱土(Ca)中毒进行了模拟,并采用液氮吸附、扫描电镜、能谱分析、NH_3-程序升温脱附、H_2-程序升温还原等方法对催化剂中毒前后的物理化学性质变化进行了表征。结果表明,K和Ca的中毒没有破坏商业中温SCR催化剂孔的基本结构,但K和Ca的中毒使催化剂的比表面积和孔容减小。K和Ca的中毒在一定程度上改变了催化剂表面钒的价态,导致了钒的还原能力减弱,同时降低催化剂表面化学吸附氧。钾中毒和钙中毒使催化剂的表面酸量降低。钾和钙中毒造成中温SCR催化剂的脱硝活性降低,并且Ca中毒造成的催化剂活性降低要明显高于K中毒。     

低温退火形成团簇CdSe棒状结构的实验分析

为了研究新型纳米结构对发光的影响,实验采用自组装的方法在低温（170℃）退火的条件下成功制备了棒状CdSe微结构阵列,并使用中心波长为365 nm的激光测量了棒状CdSe微结构阵列的荧光光谱。本文首先论述了团簇CdSe半导体材料的特性以及其荧光性质,然后通过对退火后的棒状CdSe微结构阵列的荧光测量,分析实验结果表明：棒状CdSe微结构的长度、直径和阵列间距分别为505.91 nm、205 nm和309 nm,荧光光谱出现36.16 nm蓝移。而且,按照非平衡态统计物理系统中,基于低温退火对半导体材料产生的影响,通过一维福克-普朗克方程对其形成机理进行了实验分析。这种低温退火方法为未来在新材料制备上提供了一个新的途径。     

商业V_2O_5-WO_3/TiO_2烟气SCR脱硝催化剂CaSO_4中毒机理研究

基于商业V_2O_5-WO_3/Ti O_2脱硝催化剂,设计了两种模拟Ca SO_4中毒的方法,通过比表面积测定(BET)、X射线衍射(XRD)、程序升温还原(H_2-TPR)、扫描电子显微镜(SEM)、原位漫反射傅里叶变换红外光谱(in situ DRIFTS)等表征技术并结合固定床脱硝性能测试平台,对中毒前后催化剂的微观结构、氧化还原能力及表面性质的变化与脱硝活性进行了对比研究,探索硫酸钙中毒机理。研究表明,Ca SO_4会堵塞催化剂孔径,孔径小于2.7 nm和孔径大于17.8 nm时Ca SO_4的影响更大,从而使催化剂的比表面积和孔体积变小;Ca SO_4中毒会导致Brnsted酸位数量和强度的降低,同时Lewis酸强度也会减弱,从而阻碍了NH_3的吸附,Ca SO_4引起催化剂氧化还原能力的降低。