| 低温退火形成团簇CdSe棒状结构的实验分析 |
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| 引用本文： | 黄兆岭,白忠臣,商业,孙际超,秦水介.低温退火形成团簇CdSe棒状结构的实验分析[J].原子与分子物理学报,2019,36(6):953-958. |
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| 作者姓名： | 黄兆岭 白忠臣 商业 孙际超 秦水介 |
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| 作者单位： | 贵州大学,贵州大学 贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵州大学 贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵州大学 贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵州大学 贵州省光电子技术及应用重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,省市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为了研究新型纳米结构对发光的影响，实验采用自组装的方法在低温（170℃）退火的条件下成功制备了棒状CdSe微结构阵列，并使用中心波长为365 nm的激光测量了棒状CdSe微结构阵列的荧光光谱。本文首先论述了团簇CdSe半导体材料的特性以及其荧光性质，然后通过对退火后的棒状CdSe微结构阵列的荧光测量，分析实验结果表明：棒状CdSe微结构的长度、直径和阵列间距分别为505.91 nm、205 nm和309 nm，荧光光谱出现36.16 nm蓝移。而且，按照非平衡态统计物理系统中，基于低温退火对半导体材料产生的影响，通过一维福克-普朗克方程对其形成机理进行了实验分析。这种低温退火方法为未来在新材料制备上提供了一个新的途径。
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| 关 键 词： | 棒状CdSe结构 自组装 低温退火 荧光光谱 |
| 收稿时间： | 2018/12/23 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/1/22 0:00:00 |
Formation and analysis of rod-like CdSe microstructure via low-temperature annealing |
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| Huang Zhao-Ling,Bai Zhong-Chen,Shang Ye,Sun Ji-Chao and Qin Shui-Jie.Formation and analysis of rod-like CdSe microstructure via low-temperature annealing[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2019,36(6):953-958. |
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| Authors: | Huang Zhao-Ling Bai Zhong-Chen Shang Ye Sun Ji-Chao and Qin Shui-Jie |
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| Institution: | Guizhou University,Guizhou University,Guizhou University,Guizhou University and Guizhou University |
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