用气液色谱法分离甲基氯硅烷和鉴定的研究

1.二苯甲酮适用于作分离和鉴定甲基氯硅烷的固定相。2.在较低的温度下(52℃)能将甲基三氯硅烷,二甲基二氯硅烷,三甲基(?)氯硅烷和四氯化硅混合物中的各组分完全分开。     

低渗透油藏爆炸压裂产能分析及压裂改造区域优化设计

基于爆炸压裂裂缝分布规律,提出爆炸压裂缝网双重介质复合流动产能模型,应用Laplace变换Stehfest数值反演,得到了定压条件下封闭外边界低渗透油藏爆炸压裂生产井产能表达式。在模型正确性验证的基础上结合某低渗透油藏储层特征参数研究了爆炸压裂改造区域参数对封闭边界油藏产量的影响,同时对爆炸压裂改造改造体积优化设计进行了研究。研究结果表明,爆炸压裂改造区域半径主要影响生产中期产能,改造区域渗透率对生产早期和中期影响比较大,且对于实例油藏爆炸压裂改造比为0.1时效果最好。     

关联字母矩阵基模算法在水污染中的应用

系统反馈基模分析是系统动力学中把握系统结构,揭示系统产生涌现性原因的一种重要工具。目前针对系统反馈基模分析的方法有流率基本入树法和向量生成法等等。为了更好地从系统反馈基模分析得到有效的管理对策并更快地从极小基模生成复杂系统问题,提出一个确定复杂系统的基模生成集并对新管理措施进行反馈绩效分析的关联字母矩阵算法。该算法是将系统动力学的因果关系图转化为关联字母矩阵,以此计算反馈环将更为简单、直观。最后,用一个管理案例阐明了该算法的实际价值:运用此方法对我国现今亟需解决的水污染环境问题进行深度剖析,并根据所得到的系统基模提出了一些管理建议和对策。 更多还原     

一种线型具有ICT态共轭化合物的合成及光物理性质

运用Sonogashira偶联反应合成了一种具有分子内电荷转移(ICT)态的线型共轭化合物4,4’-(2,5-二溴-1,4-苯乙炔)4,4’-双(N,N-二甲基苯胺),研究了其在不同溶剂、质子和不同金属离子存在时紫外光谱及荧光光谱的变化。结果表明,该化合物中存在从供电子基团-N(CH3)2到吸电子基-Br的ICT光谱:随着溶剂极性的增加,其荧光光谱从正已烷中415nm红移到DMSO中525nm。对质子及一些过渡金属离子如Hg2+、Cr3+、Cu2+有明显响应,在乙腈溶液中,当化合物中滴加H+、Hg2+与Cr3+时,其荧光光谱表现为蓝移,而Cu2+的加入则使化合物的荧光淬灭。     

MCM-41负载多联吡啶化合物及其Eu(Ⅲ)配合物的合成与光谱性质

合成出一种新的磷酸根取代多联吡啶化合物6-(4-甲基磷酸苯基)-2,2’-二联吡啶(2)及其Eu(III)的三元配合物[Eu(DBM)3(2)](3)(DBM为二苯甲酰甲烷),通过Si-O-P键将化合物2及配合物3负载到无机介孔材料MCM-41上,并研究了它们的电子光谱性质变化。电子光谱表明,化合物2在溶液中吸收     

一种双核磷光环金属铂(Ⅱ)配合物的合成、结构及光谱性质

以6-(4-甲基磷酸二乙酯苯基)-2,2′-二联吡啶(HL)与K2PtCl4、二(二苯基磷)甲烷(dppm)及Ag(CF3SO3)反应,得到了一种双核Pt(Ⅱ)配合物[Pt2L2(μ-dppm)](CF3SO3)Cl.CH3CN。晶体结构表明,中心金属离子Pt(II)呈扭曲平面正方形构型,桥配体dppm连接两个金属中心,3.175的Pt——Pt距离表     

一种新的磷酸根取代多联吡啶的合成及光谱性质

(磷酸基苯基)二联吡啶;合成;电位滴定;吸收光谱;发射光谱     

ICP-AES同时测定辣木叶中的6种微量元素

采用湿法、泡制法、水煮法处理样品,以ICP-AES测定辣木叶中的Ca、K、Mg、Fe、Zn、Cu6种微量元素。方法简单、快速、灵敏度高、准确性好,可同时测定多种元素。6种元素的加标回收率为98%—104%,相对标准偏差均小于3.5%。     

MCM-41负载多联吡啶化合物及其Eu(III)配合物的合成与光谱性质

合成出一种新的磷酸根取代多联吡啶化合物6-(4-甲基磷酸苯基)-2,2'-二联吡啶(2)及其Eu(III)的三元配合物[Eu(DBM)3(2)](3)(DBM为二苯甲酰甲烷),通过Si-O-P键将化合物2及配合物3负载到无机介孔材料MCM-41上,并研究了它们的电子光谱性质变化.电子光谱表明,化合物2在溶液中吸收峰分别位于327 nm,274 nm和244 nm,随着pH值升高,分别蓝移至304 nm,263 nm和235 nm;同时发现溶液pH值对化合物的发射光谱也有很大的影响:随着pH值增加,其发射峰从427 nm蓝移至374 nm,荧光强度随之增大,当pH＝6.34时荧光强度达到最大.随后增大pH值,发射峰位置变化较小,但荧光强度逐渐减小.当化合物2与3通过Si-O-P键与分子筛MCM-41负载后,其发射光谱发生明显变化.化合物2由无精细结构的单发射峰435 nm裂分为双发射峰435 nm和505 nm,而3发射峰位置未发生变化,但其发射峰强度出现了增强.     

三维显微CT扫描系统的X射线源焦点投影坐标测量方法

针对实际的三维显微CT成像系统射线源焦点和探测器成像面位置不能直接测量的问题,提出了一种简单易行的射线源焦点投影坐标精确测量方法.基于球体在锥束射线场中的投影为椭圆的原理,利用双球目标体成像获得的数字射线投影图像,配合图像、图形处理方法和最小二乘拟合技术求取二椭圆的长轴交点,该点坐标即为射线源焦点的投影坐标.实验结果表明,所提出方法的测量精度达到了实际显微CT扫描系统的重建要求,并且实现简单、具有较强的抗噪能力.