YBCO-SrTiO_3-YBCO多层薄膜超导线圈

采用射频磁控溅射在(100)SrTiO_3衬底上生长了 YBCO-SrTiO_3-YBCO 多层薄膜,并结合氩离子束刻蚀技术加工了线条宽10μm 共9匝的多层结构超导线圈,研究了总长约9.4mm宽10μm YBCO 线条的超导连通及超导连接和超导线条绝缘跨接的情况.线圈超导连通 T_c为82K,在77K 的 J_c 为5.4×10~4Acm~(-2),SrTiO_3绝缘层在77K 的电阻率为3.9×10~3Ωcm,基本可以满足薄膜磁通变换器中多匝输入线圈的工艺要求.     

关于YBa_2Cu_3O_x-PrBa_2Cu_3O_x-YBa_2Cu_3O_x多层膜的研究

采用磁控溅射法研制了 YBa_2Cu_3O_x-PrBa_2Cu_3O_x-YBa_2Cu_3O_x 多层外延膜.上、下 YBa_2·Cu_3O_x 层的零电阻转变温度分别是80K 和82K.在77K 测量得到 PrBa_2Cu_3O_x 隔离层的电阻率约为 8×10~4Ω·cm.     

氩离子束刻蚀YBCO薄膜

研究了氩离子束对 YBCO 薄膜和光刻胶掩膜的刻蚀速率,刻蚀了多种精细的图形,刻蚀后薄膜的 T_c 没有下降.通过测量 Ag 膜与 YBCO 膜的接触电阻,研究了离子束轰击后YBCO 膜表面的状况.     

氩离子束减薄TlBaCaCuO多晶膜微桥

使用化学湿法刻蚀和氩离子束减薄技术制作了 TlBaCaCuO 薄膜的厚差桥,研究了桥区膜厚和临界电流的变化,发现离子束减薄对薄膜的 J_c 没有明显影响.使用这种技术调整 DCSQUID 的临界电流,在77K 观察到了量子干涉现象.     

高Tc台阶结Josephson器件

采用预先在衬底上刻蚀出台阶然后原位外延生长高 T_c 超导薄膜的工艺,制备了高 T_c 台阶结 Josephson 器件.文中研究了直流 Josephson 电流对温度和外加微波功率的关系,实验结果与磁通流器件的行为基本相符.