扭转的NbTi复合线短样品交流损耗的实验研究

用“双线圈方法”测试了扭转的NbTi复合线短样品的磁滞(辶回)线.研究了磁滞损耗和(辶回)线形状与超导丝芯径(d)、纵向外磁场变化率(dH/dt)、复合线的扭距(lp)、以及剩磁与(d)和(lp)间的关系.实验结果如下: (1) 磁滞损耗与超导丝直径成正比.NbTi-Cu-CuNi三组元复合线的损耗比NbTi-cu二组元复合线的大. (2) 磁滞(辶回)线的形状和面积随纵向场dH/dt而变化.当dH/dt变大时,不仅(辶回)线的面积增加而且形状也略有变化. (3) 对于同一种复合线,(辶回)线的形状和面积随扭距而变化. (4) 超导丝直径粗、扭距短、剩磁大;直径细、扭距长、剩磁小.     

插层化合物LiV2O4的制备与实验研究

用化学方法从层状化合物LiVO₂中引出0.5个Li后得到Li_0.5VO₂,再经过低温真空热处理制备出尖晶石结构化合物LiV₂O₄,类似地处理Li_0.465VO₂,得到缺Li的Li_0.93V₂O₄,LiV₂O₄和Li_0.93V 关键词：     

超导磁体低频交流损耗实验

随着科学技术和工业的发展,超导电技术的应用已开始由直流向交流(交变电流或交变磁场)下发展。如质子同步加速器中的脉冲磁体,交流电的传输,交流电机等都在采用超导新技术。它比常规导体有场强高和损耗低的优点。采用超导体,可以使设备的重量减轻,体积缩小,节省电力。但是,目前在交流下应用的超导线圈几乎都运行在低频,因为在频率较高时运行损耗过大和电性不稳定。     

超导螺线管磁体实验研究

实验研究了超导螺线管磁体内部损耗分布以及导线位移和短路对磁体临界电流的影响.实验结果表明 (1)磁体内部线圈的损耗比外部线圈小.内部和外部线圈损耗的总和等于整个磁体的损耗. (2)导线位移和短路分别引起磁体磁滞迥线形状两种畸变,而且这两种畸变是不一样的. (3)导线位移和短路都可以降低磁体的临界电流. (4)磁体内部有短路时,可能成倍或几十倍地增加磁体的损耗.     

NbTi-Cu二组元、NbTi-Cu-CuNi三组元超导磁体交流损耗实验比较

我们用电子积分技术测量磁滞迴线的方法,分别测试了NbTi-Cu二组元和NbTi-Cu-CuNi三组元复合线磁体的交流损耗.本文报告了实验结果并把这些结果作了定性的比较.通过比较可以看出:在我们实验范围内,(1)NbTi-Cu二组元复合线磁体的损耗正比于磁体的磁场峰值和励磁速度.(2)NbTi-Cu-CuNi三组元复合线磁体的损耗正比于磁场峰值,但随励磁速度增加而下降.     

插层化合物LiVO2的合成及物理性能的研究

本文用固态反应方法成功地合成了插层化合物LiVO₂。进行了成分配比实验、元素定量化学分析和X射线粉末衍射分析。最后对结果进行了讨论。 关键词：